Steuerbare Gleichrichtung in Halbleiter-Nanostrukturen - Universität ...

5. Experimentelle Ergebnisse und Diskussion
VSD = −2 V) an. Auch der differentielle Widerstand für die Sperrrichtung (Bereich A) hat
sich noch einmal verändert und zwar steigt er auf dRA = 916,4 kΩ (bei VSD = −2 V) im
Vergleich zu dRA = 412,1 kΩ (bei VSD = −1 V), so dass der maximale Strom nur noch
um knapp 5 % auf einen Wert von IA = 20,9 µA zunimmt. Im Gegensatz zum JFET, wo
in der Modellvorstellung bei Erreichen des Abschnürpunktes der Strom IK mit steigender
Spannung VK konstant bleibt, zeigt die planare Diode einen leichten Stromanstieg. Dieses
Phänomen kann Leckströmen zugeordnet werden, die zum Beispiel über Störstellen und
Oberflächenzustände an den Ätzkanten fließen können.
Sowohl bei hohen negativen als auch positiven Source-Drain-Spannungen VSD hat sich der
Kanal stärker verschlossen. Das zweifache Abknicken der Kennlinien in der eigentlichen
Durchlassrichtung und der daraus resultierende Anstieg des differentiellen Widerstandes
kann mit den bisher erfolgten Messungen nicht erklärt werden. Für eine genauere Interpre-
tation des Kennlinienverlaufs für negative Source-Drain-Spannungen VSD sei auf Abschnitt
5.4 verwiesen, wo die unerwartete Sperrung des Kanals nochmals aufgegriffen und unter
Anderem anhand der planaren Diode mit Seiten-Gates erörtert wird.
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