Steuerbare Gleichrichtung in Halbleiter-Nanostrukturen - Universität ...
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B. Wachstumsprotokolle<br />
B.1. Probenmaterial 12071<br />
Material Temperatur ( ◦ C) Zeit (s) Schichtdicke (nm)<br />
GaAs 715,0 263,2 50,0<br />
GaAs 715,0 26,3 5,0<br />
AlAs 715,0 49,0 5,0<br />
GaAs 715,0 3421,1 650,0<br />
Al0.35Ga0.65As 715,0 68,5 20,0<br />
Al0.35Ga0.65As:Si 715,0 188,4 55,0<br />
GaAs:Si 715,0 26,3 5,0<br />
Tabelle B.1.: Wachstumsprotokoll 1 (Probenmaterial 12071)<br />
B.2. Probenmaterial 13273<br />
Material Temperatur ( ◦ C) Zeit (s) Schichtdicke (nm)<br />
GaAs 654,0 245,4 50,0<br />
GaAs 654,0 24,5 5,0<br />
AlAs 654,0 48,4 50,0<br />
GaAs 654,0 3189,4 50,0<br />
Al0.34Ga0.66As 654,0 65,1 50,0<br />
Si − δ 654,0 300,0 50,0<br />
Al0.34Ga0.66As 654,0 6,5 50,0<br />
Al0.34Ga0.66As 654,0 91,2 50,0<br />
GaAs:Si 654,0 25,9 50,0<br />
Tabelle B.2.: Wachstumsprotokoll 2 (Probenmaterial 13273)<br />
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