Steuerbare Gleichrichtung in Halbleiter-Nanostrukturen - Universität ...
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A. Parameter der Probenpräparation<br />
A.1. Maskenherstellung<br />
Maske aus chrombeschichtetem Quarzsubstrat<br />
• Säubern: 12h Aceton, Isopropanol und Ultraschallbad mit höchster Intensität<br />
• Belacken: Copolymer PMMA 6% von Allresist (30 s bei 6000 U/m<strong>in</strong>)<br />
• Aushärten: Heizplatte: bei 150 ◦ C für 10 M<strong>in</strong>uten<br />
• Strukturen mit REM schreiben:<br />
– Beschleunigungsspannung: 5 kV<br />
– Blende: 30 µm<br />
– Dosis: 25 µC<br />
• Entwickeln:<br />
• Ätzen:<br />
– Entwickler: 120 s AR 600-50 von Allresist<br />
– Stopper: 30 s AR 600-60 von Allresist<br />
– ca. 3 M<strong>in</strong>uten <strong>in</strong> Cr-Ätze<br />
– 2x H2O als Stopper (30 s)<br />
Cr-Ätze: 50 g Cer-IV-Ammoniumnitrat (Ce(NH4)2NO3)6, 10 ml C2H4O2 (99%-ig),<br />
200 ml H2O<br />
• Remover: AR 600-70 von ALlresist, Aceton, Isopropanol<br />
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