Steuerbare Gleichrichtung in Halbleiter-Nanostrukturen - Universität ...
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4. Messmethoden<br />
Um dies zu realisieren wird e<strong>in</strong> mit flüssigem Helium ( 4 He) gekühlter ST-STEEL-Kryostat<br />
der Firma Cryogenic LTD verwendet. Der Helium-Tank bildet den Kern dieser Anlage. Als<br />
zusätzliches thermisches Isolationsschild ist e<strong>in</strong> Tank mit flüssigem Stickstoff vorhanden.<br />
E<strong>in</strong> Isolationsvakuum schirmt diese beiden Tanks zur Raumtemperatur h<strong>in</strong> ab. Zusätzlich<br />
sorgen Strahlungsschilde für e<strong>in</strong>en ger<strong>in</strong>gen Kälteverlust. Der Probenstab mitsamt e<strong>in</strong>ge-<br />
bauter Probe wird <strong>in</strong> den Helium-Tank des Kryostaten e<strong>in</strong>geführt. Nach E<strong>in</strong>stellen des<br />
thermischen Gleichgewichts bef<strong>in</strong>det sich die Probe bei e<strong>in</strong>er Temperatur von 4,2 Kelv<strong>in</strong>,<br />
dem Siedepunkt von Helium. Zudem bef<strong>in</strong>det sich im Kryostat e<strong>in</strong>e supraleitenden Spule,<br />
die über e<strong>in</strong>e externe Spannungsquelle angesteuert und Magnetfelder bis zu 12 Tesla erzeu-<br />
gen kann. E<strong>in</strong>e schematische Darstellung des Kryostaten f<strong>in</strong>det sich <strong>in</strong> Abbildung 4.1. Der<br />
Probenstab besteht aus e<strong>in</strong>em ca. 1,5 m langen Rohr, <strong>in</strong> dessen unterem Ende die Probe<br />
e<strong>in</strong>gebaut ist. Sie ist durch elektrische Leitungen mit dem oberen Ende verbunden, die nach<br />
außen mit BNC-Anschlüssen versehen s<strong>in</strong>d. Für den Abkühlvorgang wird der Probenstab<br />
zunächst mit e<strong>in</strong>er Drehschieberpumpe abgepumpt und anschließend mit Kontaktgas (He-<br />
lium) gefüllt.<br />
4.2. Messaufbau<br />
Die Proben werden im Probenstab unter permanenter Kühlung auf 4,2 K <strong>in</strong> unterschied-<br />
lichen Messaufbauten vermessen. Die Messungen werden durch GBIP-Schnittstellen mit<br />
dem PC unter zu Hilfenahme des Mess-Programms LabView durchgeführt. Alle Verkabe-<br />
lungen werden mit BNC-Kabeln vorgenommen. Die Maximal-Source-Dra<strong>in</strong>-Ströme durch<br />
den Kanal s<strong>in</strong>d auf ISD = ±40 µA begrenzt, die dazugehörenden Maximal-Source-Dra<strong>in</strong>-<br />
Spannungen liegen <strong>in</strong> Abhängigkeit der Probe zwischen VSD = ±1 V bis VSD = ±5,5 V.<br />
Im Folgenden werden die beiden genutzten Aufbauten vorgestellt.<br />
4.2.1. ISD (VSD, VG)-Kennl<strong>in</strong>ien<br />
Der Messaufbau der Diodenstrukturen mit Seiten-Gates wird aus Abbildung 4.2 ersicht-<br />
lich. Der Source-Kontakt wird durch die Source-Measure-Unit (SMU) des Typs Keithley<br />
2400 mit der Source-Dra<strong>in</strong>-Spannung VSD versorgt und dabei der Source-Dra<strong>in</strong>-Strom<br />
ISD ausgelesen. Der Dra<strong>in</strong>-Kontakt wird über e<strong>in</strong>en Kurzschluss mit dem Außenleiter ge-<br />
erdet; der Kryostat ist ebenfalls geerdet. Zusätzlich s<strong>in</strong>d die beiden Seiten-Gates an die<br />
steuerbare DC-Spannungsquelle Yokogawa 7651 angeschlossen, so dass sich die Seiten-<br />
Gate-Spannunngen VG variieren lassen. Die Geräte s<strong>in</strong>d über e<strong>in</strong>er GBIP-Schnittstelle mit<br />
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