Steuerbare Gleichrichtung in Halbleiter-Nanostrukturen - Universität ...

5.5. Reproduzierbarkeit
5.5. Reproduzierbarkeit
Um zu untersuchen, inwieweit die beobachteten Phänomene über die Geometrie hinaus
von den Eigenschaften des Ausgangsmaterials abhängen, wurde eine zweite Probe, Pro-
be II präpariert. Diese Probe ist ebenfalls eine planare Diode mit Seiten-Gates, jedoch ist
sie aus dem Material 13273 hergestellt (siehe Abschnitt 3.1).
In Abbildung 5.22 sind die ISD(VSD)-Kennlinien im Source-Drain-Spannungsintervall VSD =
±1,5 V gezeigt, wobei die Seiten-Gate-Spannungen von VG = −1,0 V bis VG = +1,0 V in
Schritten von ∆VG = 0,1 V variiert werden. Das positive Source-Drain-Spannungsintervall
(Bereich A) kann erneut der Sperrrichtung und die Durchlassrichtung für den Großteil der
Kennlinien (VG = +1,0 V bis VG = −0,5 V) dem Bereich B zugeordnet werden. Für größe-
re negative Source-Drain-Spannungen VSD steigt der differentielle Widerstand an und der
Kanal wird gesperrt bzw. für die Seiten-Gate-Spannungen VG < −0,5 V erstmalig geöff-
net. Die differentiellen Widerstände des Bereichs C sind für die drei Kennlinien ebenfalls
Strom I (µA)
SD
25
20
15
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
C B
Gatespannungen:
Seiten-Gate-Spannung V
+ 1,00 1,0 VV
0,00 0,0 V V
-- 1,00 1,0 V V
G
Strom I SD (µA)
-1,50 -1,25 -1,00 -0,75 -0,50 -0,25 0,00 0,25 0,50 0,75 1,00 1,25 1,50
-5
Spannung V (V) SD
0
-0,50 -0,25 0,00 0,25
-
V G = + 1,0 V
A
V G = 0,0 V
-0,50 -0,25 0,00 0,25
Spannung V (V)
SD(V)
Abbildung 5.22.: ISD(VSD)-Kennlinien für die Seiten-Gate-Spannungen von VG = −1 V
bis VG = +1 V in Schritten von ∆VG = 0,1 V. Vergrößerte Darstellung
des Schwellwertbereichs für Seiten-Gate-Spannungen von VG = −1 V bis
VG = 0 V in Schritten von ∆VG = 0,1 V.
0
-5
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