Steuerbare Gleichrichtung in Halbleiter-Nanostrukturen - Universität ...

5.3. Steuerbarer Gleichrichter
ein stark ausgeprägtes nichtlineares Kennlinienverhalten. Durch Variation der Seiten-Gate-
Spannung der Probe I besteht jetzt die Möglichkeit, das Aspektverhältnis zu steuern, so
dass neue, stärker nichtlineare ISD(VSD)-Kennlinien erzeugt werden können.
Um den Einfluss der Probensymmetrie auf das gleichrichtende Verhalten zu untersuchen,
wurde die Probe mit vertauschten Source-Drain-Anschlüssen vermessen. Die Seiten-Gates-
Potentiale werden dabei weiterhin auf VG = 0 V gegenüber dem Drain-Potential gehalten.
Abbildung 5.10 zeigt die beiden aufgenommenen ISD(VSD)-Kennlinien mit vertauschten
Source-Drain-Kontakten im Source-Drain-Spannungsintervall von VSD = ±1 V. Die darin
enthaltenen Skizzen verdeutlichen die genutzten Anschlüsse. Durch die gewählte Geome-
trie der Probe I existiert keine horizontale Achsensymmetrie, so dass ein Vertauschen der
Source- und Drain-Anschlüsse leicht unterschiedliche Kennlinien ergeben sollte. Dies zeigen
auch die Kennlinien in Abbildung 5.10. Bei positiven Source-Drain-Spannungen VSD (Be-
reich A) unterscheiden sich die Maximal-Ströme mit IA = 5,2 µA (schwarze Kennlinie) und
IA = 4,0 µA (rote Kennlinie) nur gering voneinander. Die erreichten differentiellen Wider-
Strom I (µA)
SD
10
5
0
-5
-10
-15
Schwarze Source: Kennlinie Anschluss 2
Source:
D
Anschluss 1
D
S
dR C = 79 kΩ
dR C = 100 kΩ
C B
D
dR B = 16 kΩ
dR B = 16 kΩ
dR A = 1,22 MΩ
dR A = 1,63 MΩ
-1,0 -0,5 0,0 0,5 1,0
Source-Spannung Spannung V SD (V) (V)
D
A
Rote Kennlinie
Abbildung 5.10.: ISD(VSD)-Kennlinien der Diode (Probe I) für Seiten-Gate-Spannung
VG auf Drain-Potenial mit vertauschten Source(S)- und Drain(D)-
Anschlüssen.
S
D
D
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