Steuerbare Gleichrichtung in Halbleiter-Nanostrukturen - Universität ...
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5. Experimentelle Ergebnisse und Diskussion<br />
5.6. Frequenzabhängigkeit des Gleichrichters<br />
Nachdem <strong>in</strong> den letzten Abschnitten die gleichrichtende Funktion der Proben unter Gleich-<br />
strombed<strong>in</strong>gungen gezeigt wurde, folgen nun die Untersuchungen der Frequenzabhängigkeit<br />
des gleichrichtenden Verhaltens. Die Abbildung 4.3 <strong>in</strong> Anschnitt 4.2.2 zeigt den Messauf-<br />
bau.<br />
Die wichtigen Messgrößen s<strong>in</strong>d der Proben-Strom ISD <strong>in</strong> Abhängigkeit der E<strong>in</strong>gangs-<br />
Spannung VSD. Dabei wird der Proben-Strom ISD nicht direkt gemessen, sondern mit Hilfe<br />
des Spannungsabfalls VA über e<strong>in</strong>en Widerstand R = 9,97 kΩ detektiert. Die E<strong>in</strong>gangs-<br />
Spannung VSD wird mit Hilfe e<strong>in</strong>es Frequenzgenerators variiert. Die erzeugten E<strong>in</strong>gangs-<br />
signale s<strong>in</strong>d s<strong>in</strong>us-, dreieck- oder rechteckförmig.<br />
5.6.1. <strong>Gleichrichtung</strong> mit geerdeten Seiten-Gates<br />
Die grundlegendste Messung liefert der Fall für geerdete Seiten-Gates, d. h. die Seiten-<br />
Gate-Spannung beträgt VG = 0 V gegenüber dem Dra<strong>in</strong>-Potential.<br />
S<strong>in</strong>us-Signal<br />
Zunächst wird e<strong>in</strong>e S<strong>in</strong>us-förmige E<strong>in</strong>gangsspannung mit e<strong>in</strong>er maximalen Amplitude von<br />
VSD = ±1,5 V angelegt. Die Frequenz der S<strong>in</strong>usspannung wird von f = 100 Hz bis<br />
f = 1 MHz variiert. Abbildung 5.24 zeigt das Verhalten des Ausgangssignals ISD (rot)<br />
im Vergleich zum E<strong>in</strong>gangssignal VSD (schwarz).<br />
Bei e<strong>in</strong>er Frequenz von f = 100 Hz ist <strong>in</strong> Abbildung 5.24a das gleichrichtende Verhalten<br />
deutlich zu erkennen. In der negativen Halbwelle, was der Durchlassrichtung entspricht,<br />
kann der Strom ungeh<strong>in</strong>dert fließen. In der positiven Halbwelle h<strong>in</strong>gegen, die der Sperr-<br />
richtung entspricht, wird ab e<strong>in</strong>em bestimmten Wert das Signal gesperrt. Dies äußert sich<br />
<strong>in</strong> dem Plateau bei ca. ISD = 3 µA. Betrachtet man nun die Erhöhung der Frequenz von<br />
f = 100 Hz dekadisch auf f = 1 MHz (siehe Abb. 5.24a-e), so zeigt sich, dass das Aus-<br />
gangsssignal gegenüber dem E<strong>in</strong>gangssignal immer stärker verschoben wird, bis letztendlich<br />
das Ausgangssignal dem E<strong>in</strong>gangssignal nicht mehr folgt und nur noch e<strong>in</strong>em konstanten<br />
Strom von ISD ≈ −6 µA entspricht.<br />
Dieses Verhalten wird durch Abbildung 5.25 erklärt. In dieser Abbildung s<strong>in</strong>d 6 Kennl<strong>in</strong>i-<br />
enverläufe jeweils mehrerer Perioden aufgetragen. Dabei wird das Ausgangssignal ISD als<br />
Funktion des E<strong>in</strong>gangssignals VSD aufgetragen. Somit stellen diese Kennl<strong>in</strong>ienverläufe auch<br />
Phasendiagramme dar, <strong>in</strong> denen die Phasenverschiebung deutlich wird. Die Kennl<strong>in</strong>ien s<strong>in</strong>d<br />
für den Gleichspannungsfall und die 5 Frequenz-Fälle von f = 100 Hz bis f = 1 MHz auf-<br />
getragen.<br />
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