Steuerbare Gleichrichtung in Halbleiter-Nanostrukturen - Universität ...

Seiten-
Gate
Source
Drain
a) c)
d
Mesa
l
Seiten-
Gate
200 µm
b)
3.2. Probengeometrie
Abbildung 3.2.: Planare Dioden-Struktur mit Seiten-Gates: REM-Aufnahmen der Probe I.
Mesa
10 µm
a) 120-fache Vergrößerung: Die Aufnahme zeigt die gesamte Mesastruktur.
Sie hat eine Länge lMesa von 750 µm und eine Breite dMesa von 60 µm. Die
roten Linien verdeutlichen die Grenze der 2DEG-Fläche. In der Bildmitte
befindet sich die Nanostruktur. b) 1300-fache Vergrößerung: Die geätzten,
isolierenden Gräben (helle Bereiche) begrenzen den schmalen Kanal im
2DEG und trennen die Seiten-Gates ab. c) 26000- fache Vergrößerung:
Der ca. 500 nm breite 2DEG-Kanal ist deutlich zu erkennen.
Proben Kanalbreite k Grabenbreite g Kanallänge l
(nm) (nm) (µm)
Struktur I 430 300 5,0
Struktur II 360 390 5,5
Tabelle 3.1.: Charakteristische Strukturgrößen für die Proben mit Seiten-Gate-Struktur:
2DEG-Kanalbreite k, geätzte Grabenbreite g und Kanallänge l.
1 µm
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