Steuerbare Gleichrichtung in Halbleiter-Nanostrukturen - Universität ...
Steuerbare Gleichrichtung in Halbleiter-Nanostrukturen - Universität ...
Steuerbare Gleichrichtung in Halbleiter-Nanostrukturen - Universität ...
Erfolgreiche ePaper selbst erstellen
Machen Sie aus Ihren PDF Publikationen ein blätterbares Flipbook mit unserer einzigartigen Google optimierten e-Paper Software.
Literaturverzeichnis<br />
[23] Song, A.M.; Missous, M.; Oml<strong>in</strong>g, P.; Maximov, I.; Seifert, W.; Samuelson, L.;<br />
Nanometer-scale two-term<strong>in</strong>al semiconductor memory operat<strong>in</strong>g at room tempera-<br />
ture; Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 042106.<br />
[24] Song, A.M.; Maximov, I; Missous, M.; Seifert, W.; Diode-like characteristics of<br />
nanometer-scale semiconductor channels with a broken symmetry; Physica E 21<br />
(2004) 1116-1120.<br />
[25] Xu, K.Y.; Lu, X. F.; Song, A.M.; Wang, G.; Terahertz harmonic generation us<strong>in</strong>g a<br />
planar nanosclae unipolar diode at zero bias; Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 163503.<br />
[26] Xu, K.Y.; Lu, X. F.; Song, A.M.; Wang, G.; Enhanced terahertz detection by localized<br />
surface plasma oscillations <strong>in</strong> a nanoscale unipolar diode; Journal of Applied Physics<br />
103 (2008) 113708.<br />
[27] Ahopelto, J.; Prunnila, M.; Pursula, E.; Self-aligned dop<strong>in</strong>g profiles <strong>in</strong> nanoscale<br />
silicon structures; Physica E 32 (2006) 547-549.<br />
[28] Sun, J; Wall<strong>in</strong>, D.; He, Y.; Maximov, I.; Xu, H.Q.; A sequential logic device realized by<br />
<strong>in</strong>tegration of <strong>in</strong>-plane gate transistors <strong>in</strong> InGaAs/InP; Appl. Phys. Lett. 92 (2008)<br />
012116.<br />
[29] Ando, T.; Fowler, A. B.; Stern, F.; Electronic properties of two dimensional systems<br />
Rev. Mod. Phys. Vol. 54 (1982) No. 2, 437-672.<br />
[30] de Haan, S.; Lorke, A.; Kotthaus, J.P.; Bichler, M.; Wegscheider, W.; Quantized<br />
transport <strong>in</strong> ballistic rectifiers: sign reversal and step-like output; Physica E 21 (2004)<br />
916-920.<br />
[31] Iniguez-de-la-Torre, I.; González, T.; Pardo, D.; Mateos, J.; Hysteresis phenomena <strong>in</strong><br />
nanoscale rectify<strong>in</strong>g diodes: A Monte Carlo <strong>in</strong>terpretation <strong>in</strong> terms of surface effects;<br />
Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 063504.<br />
[32] Iniguez-de-la-Torre, I.; González, T.; Pardo, D.; Mateos, J.; Monte Carlo analysis of<br />
memory effects <strong>in</strong> nona-scale rectify<strong>in</strong>g diodes; Phys. Stat. Sol. 5 (2008) No. 1, 82-85.<br />
[33] Iniguez-de-la-Torre, I.; Mateos, J.; Pardo, D.; González, T.; Monte Carlo analysis<br />
of noise spectra <strong>in</strong> self-switch<strong>in</strong>g nanodiodes; Journal of Applied Physics 103 (2008)<br />
024502.<br />
[34] Kittel, C.; E<strong>in</strong>führung <strong>in</strong> die Festkörperphysik; 14. Auflage (München, Wien: Olden-<br />
bourg Verlag) 2006.<br />
93