Steuerbare Gleichrichtung in Halbleiter-Nanostrukturen - Universität ...

A.4. Kanäle schreiben
• Einlegierung der Ohmschen Kontakte: Heizvorgang: unter Schutzgasatmosphä-
re (Schutzgas Arcal 15: 94% Ar und 6% H2)
– 5 min bei 200 ◦ C
– 2 min bei 400 ◦ C
– 30 s bei 450 ◦ C
A.4. Kanäle schreiben
• Probe säubern: Aceton und Isopropanol
• Probe blacken: ZEP-Lack (30 s bei 6000 U/min)
• Probe aushärten: Heizplatte: bei 180 ◦ C für 2 Minuten
• Kanäle mit REM schreiben:
– Beschleunigungsspannung: 20 kV
– Blende: 20 µm
– Dosis: 32 µC
• Probe entwickeln:
– Entwickler: 80 s Zep500N
– Stopper: 30 s Isopropanol
• Plasmaätzen: Schonende GaAs-Ätze für 45s bei einer Ätzrate von ca. 150 nm/min
– Druck: 2,0 mTorr
– Fluss SiCl4: 4,5 sccm
– Fluss Ar: 4,5 sccm
– Leistung ICP (engl.: inductively coupled plasma): 60 W
– Leistung RF (engl.: radio frequency): 23 W
– Resultierende DC-Bias: ca. 60 V
• Remover: 1165, Aceton, Isopropanol
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