Steuerbare Gleichrichtung in Halbleiter-Nanostrukturen - Universität ...

5. Experimentelle Ergebnisse und Diskussion
stände liegen bei dRA = 1,22 MΩ (schwarze Kennlinie) und dRA = 1,63 MΩ (rote Kenn-
linie). Auch das Kennlinien-Verhalten bei negativer Source-Drain-Spannung VSD (Bereich
C) weicht nur leicht voneinander ab. Die Widerstände haben Werte von dRC = 79,0 kΩ
(schwarze Kennlinie) und dRC = 100 kΩ (rote Kennlinie). Dabei werden Maximalströme
von IC = 16,3 µA (schwarze Kennlinie) und IC = 15,5 µA (rote Kennlinie) erreicht. Im
Durchlassbereich (Bereich B) sind die Kennlinienverläufe nahezu identisch, was sich auch
in den identischen differentiellen Widerständen von dRB = 16,0 kΩ (schwarze und rote
Kennlinie) wiederspiegelt.
5.3.2. Seiten-Gates auf Source-Potential
Wie Abbildung 5.10 zeigt, hat die Symmetrie der Probenstruktur nur geringen Einfluss
auf die Asymmetrie der Kennlinie. Die Probenstruktur I ermöglichst es nun aber auch, die
Symmetrie der Beschaltung zu variieren. Dazu werden die Anschlüsse der Seiten-Gates auf
das Source-Potential der Probe gelegt. Abbildung 5.11 zeigt die beiden Kennlinien für ver-
tauschte Source-Drain-Anschlüsse im Source-Drain-Spannungsintervall von VSD = ±1 V.
Strom I (µA)
SD
20
15
10
5
0
-5
Schwarze Source: Kennlinie Anschluss 1
Source: Anschluss 2
S
S
D
dR A = 1,19 MΩ
dR A = 1,62 MΩ
A B
C
S
dR B = 16 kΩ
dR B = 16 kΩ
-1,0 -0,5 0,0
Spannung V (V)
0,5 1,0
SD
Source-Spannung (V)
dR = 80 kΩ
C
dR = 100 kΩ
C
Rote Kennlinie
Abbildung 5.11.: ISD(VSD)-Kennlinien der Diode (Probe I) für Seiten-Gate-Spannung
50
VG auf Source-Potenial mit vertauschten Source(S)- und Drain(D)-
Anschlüssen.
S
D
S
S