Steuerbare Gleichrichtung in Halbleiter-Nanostrukturen - Universität ...
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Spannung (V) Spannung (V) Spannung (V) Spannung (V) Spannung (V)<br />
E<strong>in</strong>gangs-Spannung V (V)<br />
SD<br />
1<br />
0<br />
-1<br />
1<br />
0<br />
-1<br />
1<br />
0<br />
-1<br />
1<br />
0<br />
-1<br />
1<br />
0<br />
-1<br />
5.6. Frequenzabhängigkeit des Gleichrichters<br />
0 1 2 3<br />
a)<br />
b)<br />
c)<br />
d)<br />
e)<br />
100 Hz<br />
1 kHz<br />
10 kHz<br />
100 kHz<br />
1 MHz<br />
0 1 2 3<br />
Perioden<br />
Abbildung 5.24.: Gleichrichtendes Verhalten der Diode (Probe I) bei angelegter S<strong>in</strong>us-<br />
Spannung mit maximaler Amplitude VSD = ±1,5 V und den Frequenzen<br />
f = 100 Hz (a), f = 1 kHz (b), f = 10 kHz (c), f = 100 kHz (d) und<br />
f = 1 MHz (e). Die E<strong>in</strong>gangs-Spannung VSD (schwarz), der Ausgangs-<br />
Strom ISD (rot) und die Nulll<strong>in</strong>ie (grün gepunktet) s<strong>in</strong>d über die Periode<br />
aufgetragen.<br />
20<br />
0<br />
-20<br />
20<br />
0<br />
-20<br />
20<br />
0<br />
-20<br />
20<br />
0<br />
-20<br />
20<br />
0<br />
-20<br />
Ausgangs-Strom I SD (µA)<br />
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