Steuerbare Gleichrichtung in Halbleiter-Nanostrukturen - Universität ...
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C. Magnetfeldmessungen<br />
140 a) b)<br />
Widerstand R (kΩ)<br />
Widerstand (kΩ)<br />
SD<br />
120<br />
100<br />
80<br />
60<br />
40<br />
20<br />
0<br />
B ν = 2 = 5,9 T<br />
B ν = 4 = 2,9 T<br />
B ν = 6 = 1,9 T<br />
B ν = 8 = 1,4 T<br />
B ν = 10 = 1,1 T<br />
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9<br />
Magnetfeld (T)<br />
Magnetfeld B (T)<br />
c)<br />
Widerstand R (kΩ)<br />
Widerstand (kΩ) SD<br />
SD<br />
75<br />
70<br />
65<br />
60<br />
55<br />
50<br />
45<br />
40<br />
35<br />
30<br />
25<br />
20<br />
15<br />
Widerstand R (kΩ)<br />
Widerstand (kΩ)<br />
SD<br />
B ν = 4 = 2,9 T<br />
B ν = 6 = 1,9 T<br />
B ν = 8 = 1,4 T<br />
B ν = 10 = 1,2 T<br />
120<br />
100<br />
80<br />
60<br />
40<br />
20<br />
B ν = 2 = 5,9 T<br />
B ν = 4 = 2,8 T<br />
B ν = 6 = 1,9 T<br />
B ν = 8 = 1,4 T<br />
B ν = 10 = 1,2 T<br />
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9<br />
Magnetfeld (T)<br />
Magnetfeld B (T)<br />
0<br />
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9<br />
Magnetfeld (T)<br />
Magnetfeld B (T)<br />
Abbildung C.1.: Auftragung des Widerstandes RSD über das Magnetfeld B für e<strong>in</strong>e kon-<br />
stante Source-Dra<strong>in</strong>-Spannung von VSD = −0,01 V (a), VSD = +0,01 V<br />
(b) und VSD = +0,1 V (c). Durch die lokalen Extremalwerte im Wider-<br />
standsverlauf werden die zu den Füllfaktoren ν gehörenden Magnetfelder<br />
B identifiziert. Die schwarze Messkurve wurde für e<strong>in</strong> ansteigendes, die<br />
rote Messkurve für e<strong>in</strong> abfallendes Magnetfeld aufgenommen.<br />
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