PDF-Version - am Institut für Baustatik

4.4.3.4 Weitere Begriffe
SIMM: Single Inline Memory Module ( SIMM ), SIMMs haben auf beiden Seiten des
Boards Kontakte welche miteinander verbunden sind. Demnach hat ein 72-Pin-
SIMM 144 Kontaktflächen von denen jedoch nur 72 elektrisch relevant sind.
DIMM: Ein Dual Inline Memory Modul ( DIMM ) hat auf beiden Seiten des Boards je 84
einzelne Kontakte. Durch die insgesamt 168 Pins kann gegenüber 72-Pin-SIM-
Modulen ein grösserer Adressbereich adressiert werden (64 bit anstatt 32 bit
ohne Parity bzw. 72 bit anstatt 36 bit mit Parity). Module dieser Bauart werden
in Zukunft an Popularität gewinnen und bald als Standard im Bereich PC und
Server eingesetzt werden.
Flash Memory: Ein "Blitz"-Speicher ist ein nichtflüchtiger Speicher, der Daten über einen langen
Zeitraum, auch ohne Stromversorgung, speichern kann. Diese Eigenschaft
unterscheidet Flash-RAM von DRAM die einen Refresh benötigen. Die
Lesedaten- Zugriffsgeschwindigkeit gleicht der von DRAMs. Die Schreib- und
Löschgeschwindigkeiten sind erheblich langsamer als die von DRAMs. Flash
Memory ist als SIMM, PC-Card (PCMCIA), Compact Flash (CF) Card, Miniature
Card (MC), Solid State Floppy Disc Card (SSFDC) und anderen Modulen
erhältlich. Flash-Module werden in Notebooks, Network-Routern, Druckern,
PDAs und Digitalkameras meist als Massenspeicher verwendet.
FPM DRAM: Fast Page Mode (FPM) Dynamic Random Access Memory (DRAM). Dieser
Speicher kann Datenblöcke (Pages) ohne das zeitraubende ständige Neuladen
der kompletten Adresse schneller als herkömmliche DRAMs ausgeben. Dieser
Chip hat die Standard DRAMs nahezu komplett verdrängt.
EDO DRAM: Extended Data Output, vergleichbar mit dem FPM DRAM. Extended Data Out
bedeutet, daß im Gegensatz zum Fast-Page Speicher die Daten an den
Ausgängen auch dann noch gehalten werden während eine neue Adresse
geladen wird. Daher können die Zykluszeiten verkürzt werden.
Level 0 Cache: Entkoppelt den Datenstrom der unterschiedlichen Recheneinheiten in der CPU.
Grösse 1 Byte bis 128 Byte
Level 2 Cache: Entkoppelt den Datenstrom von der CPU vom Memory Bus, Grösse von 256
KBytes bis zu mehreren MBytes.
Level 3 Cache: Entkoppelt ggf. bei Mehrprozessorsystemen den separaten Systembus vom
Memory Bus.
Parity / Non-Parity: Parity-Module hingegen speichern Daten- und Parity-Informationen. Durch
äussere Einflüsse (el.-mag. Felder, Spannungsschwankungen, radioaktive
Strahlung, etc.) können die gespeicherten Daten verändert werden. Mit Hilfe der
Parity Technik wird ein Fehler erkannt. Normalerweise wird 1 Parity bit pro Byte
(8 bit) Daten gespeichert. Parity stellt Fehler nur fest, wenn sich eine ungerade
Zahl bits verändert hat.
ECC / EDC: Error Checking and Correcting, bzw. Error Detection and Correction. Weiter
entwickelte Methode zur Feststellung und Korrektur von Speicherfehlern. Mit
Hilfe entsprechender Algorithmen werden Blockweise Prüfsummen gebildet und
in eigenen Speicherbereichen abgelegt. Dies kann im Parity bit sein, manche
Systeme benutzen dafür eine eigene Speicherbank. Anhand dieser
Prüfsummen können einzelne Bitfehler erkannt und korrigiert werden.
4.4.4 Massenspeicher
Massenspeicher dienen der dauerhaften Speicherung bzw. Archivierung von Daten. Sie sind nichtflüchtige
Speicher und basieren üblicherweise auf magnetomechanischen und optischen Verfahren.
Der Zugriff ist i.a. langsamer als auf die flüchtigen (Arbeits-)Speicher auf der Basis der
Halbleitertechnologie.
22