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Untersuchungen zur - OPUS - Universität Würzburg

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2.3.2 Elektrostatische Kräfte<br />

THEORIE UND STAND DER FORSCHUNG<br />

Elektrostatische Anziehungskräfte resultieren aus gegenpoligen elektrischen Ladungen zweier<br />

Teilchen. Diese Ladungen entstehen einers eits durch Übertritt von Elektronen bei<br />

Partikelkontakt (Kontaktpotenzial ), können aber auch bei schwach leitf ähigen Partikeln als<br />

Überschussladung aufgrund ihrer Vorgeschichte vorhanden sein [14,23,24].<br />

Das Kontaktpotenzial ist von St off- und Oberflächeneigenschaften der Partikel abhängig. Bei<br />

elektrischen Leitern ist es st ets größer als bei Isolatoren, da sich die Ladungen hier im<br />

Kontaktbereich konzentrieren. Ursache für di e Entstehung eines Kont aktpotenzials ist die<br />

unterschiedliche Elektronenaustrittsarbeit zweier Festkörper. Die Elektronen wandern bis zum<br />

Erreichen eines Gleichg ewichtszustands vom Körper m it der kleineren<br />

Elektronenaustrittsarbeit in den Körper m it der größeren Elektronenaus trittsarbeit, welcher<br />

sich dann negativ auflädt. Hierbei entstehen Potenzialdifferenzen von U = 0,1 - 0,7 V.<br />

Überschussladungen treten insbesondere bei Ni chtleitern infolge von Reibung, Zerkleinerung<br />

oder Elektronen-Adsorption auf. Die maximale Ladungsdichte beträgt �max = ca. 100 e/µm 2 .<br />

Die Anziehungskraft zwischen zw ei gegenpoli gen Teilchen kann nach dem Coul ombschen<br />

Gesetz berechnet werden. Voraussetzung für de ssen Gültigkeit ist jedoch eine gleichverteilte<br />

Oberflächenladung auf der Fe stkörperoberfläche. In Tab. 2.2 sind die Haftkraftbeziehungen<br />

für die Mod ellfälle Platte/Platte, Kugel/Platte und Kugel/Kugel zusam mengestellt, wobei �r<br />

die relative Dielektrizitätskons tante des Medium s zwischen de n Haftpartnern (im Vakuum:<br />

� = 0), �0 die Influenzkonstante (�0 = 8,855�10 -12 As/Vm), U das Kontaktpotenzial, und �1, �2<br />

die Flächenladung (�max = 100 e/µm 2 , wobei 1 e = 1,6�10 -19 As) bezeichnen.<br />

Aus Gl. 2.19 bis Gl. 2.24 wird ersich tlich, das s di e Abstandsabhängigkeit bei<br />

elektrostatischen Haftkräften viel geringer ist als bei van-der-Waals-Kräften (vgl. Tab. 2.1).<br />

Daraus resu ltiert die wesentlich g rößere Reich weite und Dom inanz e lektrostatischer Kräf te<br />

bei größeren Haftabständen im Vergleich zu van-der-Waals-Kräften (vgl. Abb. 2.5).

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