Untersuchungen zur - OPUS - Universität Würzburg
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2.3.2 Elektrostatische Kräfte<br />
THEORIE UND STAND DER FORSCHUNG<br />
Elektrostatische Anziehungskräfte resultieren aus gegenpoligen elektrischen Ladungen zweier<br />
Teilchen. Diese Ladungen entstehen einers eits durch Übertritt von Elektronen bei<br />
Partikelkontakt (Kontaktpotenzial ), können aber auch bei schwach leitf ähigen Partikeln als<br />
Überschussladung aufgrund ihrer Vorgeschichte vorhanden sein [14,23,24].<br />
Das Kontaktpotenzial ist von St off- und Oberflächeneigenschaften der Partikel abhängig. Bei<br />
elektrischen Leitern ist es st ets größer als bei Isolatoren, da sich die Ladungen hier im<br />
Kontaktbereich konzentrieren. Ursache für di e Entstehung eines Kont aktpotenzials ist die<br />
unterschiedliche Elektronenaustrittsarbeit zweier Festkörper. Die Elektronen wandern bis zum<br />
Erreichen eines Gleichg ewichtszustands vom Körper m it der kleineren<br />
Elektronenaustrittsarbeit in den Körper m it der größeren Elektronenaus trittsarbeit, welcher<br />
sich dann negativ auflädt. Hierbei entstehen Potenzialdifferenzen von U = 0,1 - 0,7 V.<br />
Überschussladungen treten insbesondere bei Ni chtleitern infolge von Reibung, Zerkleinerung<br />
oder Elektronen-Adsorption auf. Die maximale Ladungsdichte beträgt �max = ca. 100 e/µm 2 .<br />
Die Anziehungskraft zwischen zw ei gegenpoli gen Teilchen kann nach dem Coul ombschen<br />
Gesetz berechnet werden. Voraussetzung für de ssen Gültigkeit ist jedoch eine gleichverteilte<br />
Oberflächenladung auf der Fe stkörperoberfläche. In Tab. 2.2 sind die Haftkraftbeziehungen<br />
für die Mod ellfälle Platte/Platte, Kugel/Platte und Kugel/Kugel zusam mengestellt, wobei �r<br />
die relative Dielektrizitätskons tante des Medium s zwischen de n Haftpartnern (im Vakuum:<br />
� = 0), �0 die Influenzkonstante (�0 = 8,855�10 -12 As/Vm), U das Kontaktpotenzial, und �1, �2<br />
die Flächenladung (�max = 100 e/µm 2 , wobei 1 e = 1,6�10 -19 As) bezeichnen.<br />
Aus Gl. 2.19 bis Gl. 2.24 wird ersich tlich, das s di e Abstandsabhängigkeit bei<br />
elektrostatischen Haftkräften viel geringer ist als bei van-der-Waals-Kräften (vgl. Tab. 2.1).<br />
Daraus resu ltiert die wesentlich g rößere Reich weite und Dom inanz e lektrostatischer Kräf te<br />
bei größeren Haftabständen im Vergleich zu van-der-Waals-Kräften (vgl. Abb. 2.5).