PCT/2000/51 - World Intellectual Property Organization

51/2000
19260 PCT Gazette - Section I - Gazette du PCT 21 Dec/déc 2000
MA MD MG MK MN MW MX NO NZ PL
PT RO RU SD SE SG SI SK SL TJ TM TR
TT TZ UA UG US UZ VN YU ZA ZW.
(84) AP (GH GM KE LS MW MZ SD SL SZ TZ
UG ZW); EA (AM AZ BY KG KZ MD RU
TJ TM); EP (AT BE CH CY DE DK ES FI FR
GB GR IE IT LU MC NL PT SE); OA (BF BJ
CF CG CI CM GA GN GW ML MR NE SN
TD TG).
Published / Publiée :(c)
(51) 7 H01L 21/28, 21/8247, 29/788, 27/115
(11) WO 00/77838
(21) PCT/DE00/01898
(13) A1
(22) 9 Jun/juin 2000 (09.06.2000)
(25) de (26) de
(30) 199 26 500.3 10 Jun/juin 1999
(10.06.1999)
DE
(43) 21 Dec/déc 2000 (21.12.2000)
(54) NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR
MEMORY CELL AND METHOD FOR
ITS PRODUCTION
CELLULE MEMOIRE A SEMI-
CONDUCTEUR NON VOLATILE ET
PROCEDE DE FABRICATION ASSO-
CIE
(71) INFINEON TECHNOLOGIES AG
[DE/DE]; St.
München (DE).
Martin-Strasse 53, D-81541
(for all designated States except / pour tous
les États désignés sauf US)
(72, 75) LUDWIG, Christoph [DE/DE];
Bergstr. 15, D-01465 Langenbrück (DE).
SCHREMS, Martin [DE/DE]; Bruhmstr. 4
E, D-01465 Langenbrück (DE).
(74) INFINEON TECHNOLOGIES AG;
Zedlitz, Peter, Postfach 22 13 17, D-80503
München (DE).
(81) JP KR US.
(84) EP (AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR
IE IT LU MC NL PT SE).
Published / Publiée :(c)
(51) 7 H01L 21/285, 21/3205, B81B 3/00, G01P
15/00, H01L 23/532
(11) WO 00/77839
(21) PCT/US00/16260
(13) A1
(22) 14 Jun/juin 2000 (14.06.2000)
(25) en (26) en
(30) 60/139,530 16 Jun/juin 1999
(16.06.1999)
US
(30) 09/467,728 20 Dec/déc 1999
(20.12.1999)
US
(43) 21 Dec/déc 2000 (21.12.2000)
(54) CONTROLLED-STRESS STABLE MET-
ALLIZATION FOR ELECTRONIC AND
ELECTROMECHANICAL DEVICES
METALLISATION STABLE A
CONTRAINTE CONTROLEE POUR
DISPOSITIFS ELECTRONIQUES ET
ELECTROMECANIQUES
(71) HONEYWELL INTERNATIONAL INC.
[US/US]; 101 Columbia Road, P.O. Box
2245, Morristown, NJ 07962-2245 (US).
(for all designated States except / pour tous
les États désignés sauf US)
(72, 75) GOLECKI, Ilan [—/US]; 100 Vail Road
#N-5, Parsippany, NJ 07054 (US).
(74) CRISS, Roger, H. et al. / etc.; Honeywell
International Inc. (Law Dept.), 101 Columbia
Road, P.O. Box 2245, Morristown, NJ 07962-
2245 (US).
(81) AL AM AT AU AZ BB BG BR BY CA CH
CN CZ DE DK EE ES FI GB GE HU IL IS JP
KE KG KP KR KZ LK LR LS LT LU LV MD
MG MK MN MW MX NO NZ PL PT RO RU
SD SE SG SI SK TJ TM TR TT UA UG US
UZ VN.
(84) AP (GH GM KE LS MW MZ SD SL SZ TZ
UG ZW); EA (AM AZ BY KG KZ MD RU
TJ TM); EP (AT BE CH CY DE DK ES FI FR
GB GR IE IT LU MC NL PT SE); OA (BF BJ
CF CG CI CM GA GN GW ML MR NE SN
TD TG).
Published / Publiée :(c)
(51) 6 H01L 21/3205, 21/768
(11) WO 00/77840
(21) PCT/JP99/03178
(13) A1
(22) 15 Jun/juin 1999 (15.06.1999)
(25) ja (26) ja
(43) 21 Dec/déc 2000 (21.12.2000)
(54) SEMICONDUCTOR DEVICE AND
METHOD
THEREOF
OF MANUFACTURE
DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(71) ASAHI KASEI MICROSYSTEMS CO.,
LTD. [JP/JP]; 24-10, Yoyogi 1-chome,
Shibuya-ku, Tokyo 151-0053 (JP).
(for all designated States except / pour tous
les États désignés sauf US)
(72, 75) MOCHIZUKI, Hidenori [JP/JP];
Reiyoso 314,, 2-4770-1, Yamatsuki-cho,
Nobeoka-shi, Miyazaki 882-0037 (JP).
(74) MORI, Tetsuya et al. / etc.; Nichiei Kokusai
Tokkyo Jimusho, Muraki Building, 8th Floor,
7, Kanda-Kajicho 3-chome, Chiyoda-ku,
Tokyo 101-0045 (JP).
(81) DE KR SG US.
(51) 7 H01L 21/3213
(11) WO 00/77841
(21) PCT/DE00/01896
(13) A1
(22) 9 Jun/juin 2000 (09.06.2000)
(25) de (26) de
(30) 199 26 501.1 10 Jun/juin 1999
(10.06.1999)
DE
(43) 21 Dec/déc 2000 (21.12.2000)
(54) METHOD FOR PRODUCING A SEMI-
CONDUCTOR
NENT
MEMORY COMPO-
PROCEDE DE PRODUCTION D’UN
COMPOSANT DE STOCKAGE A
SEMI-CONDUCTEUR
(71) INFINEON TECHNOLOGIES AG
[DE/DE]; St.
München (DE).
Martin-Strasse 53, D-81541
(for all designated States except / pour tous
les États désignés sauf US)
(72, 75) ENGELHARDT, Manfred [DE/DE];
Edelweissstr. 1a, D-83620 Feldkirchen-Westerham
(DE). WEINRICH, Volker [DE/DE];
Brunecker Str. 2, D-81373 München (DE).
KREUPL, Franz [DE/DE]; Müllerstr.
43, D-80469 München (DE). SCHIELE,
Manuela [DE/DE]; Feldkirchener Str. 10,
D-85625 Glonn (DE).
(74) EPPING - HERMANN & FISCHER; Postfach
12 10 26, 80034 München (DE).
(81) CN JP KR US.
(84) EP (AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR
IE IT LU MC NL PT SE).
Published / Publiée :(c)
(51) 7 H01L 21/336, 29/788, 21/8247
(11) WO 00/77842
(21) PCT/DE00/01912
(13) A1
(22) 14 Jun/juin 2000 (14.06.2000)
(25) de (26) de
(30) 199 27 287.5 15 Jun/juin 1999
(15.06.1999)
DE
(43) 21 Dec/déc 2000 (21.12.2000)
(54) METHOD FOR PRODUCING A NON-
VOLATILE SEMICONDUCTOR MEM-
ORY CELL
PROCEDE DE PRODUCTION
D’UNE CELLULE DE MEMOIRE A
SEMI-CONDUCTEURS
TILE
NON VOLA-
(71) INFINEON TECHNOLOGIES AG
[DE/DE]; St.
München (DE).
Martin-Strasse 53, D-81541
(for all designated States except / pour tous
les États désignés sauf US)
(72, 75) HAMMER, Markus [DE/DE]; Frühlingstrasse
3, D-93342 Saal (DE). KLEE,
Veit [DE/DE]; Alfred-Schmidt-Strasse 43,
D-81379 München (DE). TEMPEL, Georg
[KR/DE]; Ahornstrasse 6, D-85604 Zorneding
(DE). JACOB, Michael [DE/DE];
Dollingerstrasse
(DE).
8, D-93049 Regensburg
(74) INFINEON TECHNOLOGIES AG;
Zedlitz, Peter, Postfach 22 13 17, D-80503
München (DE).
(81) JP KR US.
(84) EP (AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR
IE IT LU MC NL PT SE).
Published / Publiée :(c)
(51) 7 H01L 21/60, 23/12
(11) WO 00/77843
(21) PCT/JP00/03804
(13) A1
(22) 12 Jun/juin 2000 (12.06.2000)
(25) ja (26) ja
(30) 11/166090 11 Jun/juin 1999
(11.06.1999)
JP
(43) 21 Dec/déc 2000 (21.12.2000)
(54) SEMICONDUCTOR PACKAGE,
SEMICONDUCTOR DEVICE, ELEC-
TRONIC DEVICE AND PRODUCTION
METHOD
PACKAGE
FOR SEMICONDUCTOR
BOITIER A SEMI-CONDUCTEUR,
DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR,
DISPOSITIF ELECTRONIQUE ET PRO-
CEDE DE FABRICATION DE BOITIER
A SEMI-CONDUCTEUR
(71) FUJIKURA LTD. [JP/JP]; 1-5-1,
Koto-ku, Tokyo 135-8512 (JP).
Kiba,