4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

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4.4 Ortsauflösung von Si-MicrostripsStatistische Fluktuationen des Energieverlustes – 1★ Si-Microstrip-Detektoren sind üblicherweise 300–500 µm dick und geltenals “dünne Absorber”. Strahlung und ionisierende Teilchen werden nicht imDetektor absorbiert, sondern durchqueren ihn unter Abgabe eines meistnur geringen Anteils ihrer Gesamtenergie.★ Der Energieverlust dE/dx folgt daher einer Landauverteilung, einerasymmetrischen Verteilungsfunktion mit einem “Schwanz” bei hohenEnergieüberträgen.★ Betrachte ein m.i.p. in einem 300 µm dicken Si-Detektor:– Wahrscheinlichster Energieverlust (Maximum der Verteilung):78 keV in 300 µm ➔ ≈ 72 e – h + -Paare pro µm– Mittlerer Energieverlust: 116 keV in 300 µm ➔ ≈ 108 e – h + -Paare pro µmM. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 101
4.4 Ortsauflösung von Si-MicrostripsStatistische Fluktuationen des Energieverlustes – 2★ Der Unterschied zw. maximalem und mittlerem Energieverlust kommt zumTeil von hochenergetischen Primärelektronen, sogenannten δ-Elektronen.Diese erzeugen ihrerseits zahlreiche sekundäre Ladungsträgerpaare.★ Die Wahrscheinlichkeit zur Erzeugung eines δ-Elektrons ist relativ gering.★ Aber: Die entstandenen δ-Elektronen können eine sehr große Wegstreckein Silizium zurücklegen.➔ Dadurch kommt es zu einer Versetzung der gemessenen Teilchenspur.➔ Meßfehler in der Größenordnung von µm sind unvermeidbar.M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 102
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4. HalbleiterdetektorenDetektoren i
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4.1 Allgemeine GrundlagenVerwendete
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4.1.2 MaterialeigenschaftenKristall
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4.1.2 MaterialeigenschaftenFermi-Di
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4.1.2 MaterialeigenschaftenIntrinsi
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4.1.2 MaterialeigenschaftenDriftges
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4.1.2 MaterialeigenschaftenSpezifis
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4.1.2 MaterialeigenschaftenMaterial
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4.1.2 MaterialeigenschaftenBandlüc
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4.1.2 MaterialeigenschaftenExkurs:
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4.1.3 DotierungBändermodell: n-Dot
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4.1.3 DotierungBändermodell: p-Dot
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4.1.3 DotierungÜberblick - 2★ In
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4.1.3 DotierungFermi-Niveau im doti
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4.1.3 DotierungLadungsträgerkonzen
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4.1.3 DotierungSpezifischer Widerst
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4.1.4 Der pn-ÜbergangElektrische C
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4.1.4 Der pn-ÜbergangVerhalten in
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4.1.4 Der pn-ÜbergangBreite der Ve
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4.1.4 Der pn-ÜbergangDiodenkennlin
Seite 51 und 52: 4.1.5DetektorcharakteristikaBreite
Seite 53 und 54: 4.1.5DetektorcharakteristikaDunkels
Seite 55 und 56: 4.1.5DetektorcharakteristikaDunkels
Seite 57 und 58: 4.1.5DetektorcharakteristikaDetekto
Seite 59 und 60: 4.1.5DetektorcharakteristikaZeitlic
Seite 61 und 62: 4.2 Silizium-StreifendetektorenEinf
Seite 63 und 64: 4.2.1Prinzip eines Microstrip-Detek
Seite 65 und 66: 4.2.2Herstellung segmentierter Si-D
Seite 77 und 78: 4.2.3AC gekoppelte DetektorenAllgem
Seite 79 und 80: 4.2.3AC gekoppelte DetektorenPolysi
Seite 81 und 82: 4.2.3AC gekoppelte Detektoren Punch
Seite 83 und 84: 4.2.3AC gekoppelte Detektoren FOXFE
Seite 85 und 86: 4.2.4Doppelseitige Streifendetektor
Seite 95 und 96: 4.3 Pixeldetektoren Allgemeines, Na
Seite 97 und 98: 4.3 Pixeldetektoren Bump Bonding -
Seite 99 und 100: 4.3 Pixeldetektoren Bump Bonding -
Seite 101: 4.4 Ortsauflösung von Si-Microstri
Seite 105 und 106: 4.4 Ortsauflösung von Si-Microstri
Seite 115 und 116: 4.5 Signal-Rausch-VerhältnisRausch
Seite 117 und 118: 4.5 Signal-Rausch-Verhältnis Detek
Seite 123 und 124: 4.6 Strahlenschäden in Si-Detektor
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4.6 Strahlenschäden in Si-Detektor
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4.6 Strahlenschäden in Si-Detektor
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Nützliche Referenzen - 1✭ Buch
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