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4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

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<strong>4.</strong>1.3 DotierungSpezifischer Widerstand im dotierten MaterialIn einem dotierten Halbleiter werden die elektrischen Eigenschaften von denMajoritätsladungsträgern dominiert. D.h., im extrinsischen Bereich bestimmtdie Dotierkonzentration die Leitfähigkeit. In der Regel vereinfacht sich dieBerechnung des spezifischen Widerstandes somit zu:n-Halbleiter:ρ =1e µ n N Dfür N D >> N A p-Halbleiter:€ρ =1e µ p N Afür N A >> N D N D , N A … Donator- bzw. Akzeptorkonzentrationµ n , µ p … Mobilität der Elektronen bzw. Löcher€M. Krammer: Detektoren, SS 09 <strong>Halbleiterdetektoren</strong> 40

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