4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

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4.6 Strahlenschäden in Si-Detektoren Primäre Defekte im Kristallgitter: Punktdefekte – 2★★Erfolgt der Stoß mit dem Gitteratom über die starke Wechselwirkung, sokann es anstatt zu einer Positionsveränderung des Gitteratoms auch zueiner Kernreaktion kommen.Das Bild unten zeigt als Beispiel die Umwandlung eines Siliziumatoms inein Phosphoratom als Folge der Absorption eines einfallenden Neutronsmit anschließendem Beta-Zerfall:★Die so erzeugten Fremdatome sind reguläre Dotieratome, die dann ihrerWertigkeit entsprechend als Donatoren oder Akzeptoren wirken. M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 129
4.6 Strahlenschäden in Si-Detektoren Primäre Defekte im Kristallgitter: Cluster-Defekte★Bei sehr harten Stößen wird durch das einfallende Teilchen genug Energieauf ein Si-Atom übertragen, daß dieses “Primary Knock-On Atom”seinerseits weitere Gitteratome räumlich versetzen kann. Es kommt zurAusbildung von Cluster-Defekten.★★Ein Cluster ist im Prinzip eine dichteAnsammlung von Punktdefekten.Typische Cluster-Größen liegen beica. 5 nm Durchmesser undumfassen ca. 100 einzelneGitterversetzungen.Für hochenergetische PKAs tretenCluster vorzugsweise am Ende derSpur auf, wenn das PKA seineletzten 5–10 keV an Bewegungs-energie verliert und der elastischeWirkungsquerschnitt stark ansteigt.Cluster-Defekt (vereinfachtes Schema)M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 130
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4. HalbleiterdetektorenDetektoren i
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4.1 Allgemeine GrundlagenVerwendete
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4.1.2 MaterialeigenschaftenKristall
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4.1.2 MaterialeigenschaftenFermi-Di
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4.1.2 MaterialeigenschaftenIntrinsi
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4.1.2 MaterialeigenschaftenDriftges
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4.1.2 MaterialeigenschaftenSpezifis
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4.1.2 MaterialeigenschaftenMaterial
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4.1.2 MaterialeigenschaftenBandlüc
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4.1.2 MaterialeigenschaftenExkurs:
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4.1.3 DotierungBändermodell: n-Dot
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4.1.3 DotierungBändermodell: p-Dot
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4.1.3 DotierungÜberblick - 2★ In
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4.1.3 DotierungFermi-Niveau im doti
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4.1.3 DotierungLadungsträgerkonzen
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4.1.3 DotierungSpezifischer Widerst
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4.1.4 Der pn-ÜbergangElektrische C
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4.1.4 Der pn-ÜbergangVerhalten in
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4.1.4 Der pn-ÜbergangBreite der Ve
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4.1.4 Der pn-ÜbergangDiodenkennlin
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4.1.5DetektorcharakteristikaBreite
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4.1.5DetektorcharakteristikaDunkels
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4.1.5DetektorcharakteristikaDunkels
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4.1.5DetektorcharakteristikaDetekto
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4.1.5DetektorcharakteristikaZeitlic
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4.2 Silizium-StreifendetektorenEinf
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4.2.1Prinzip eines Microstrip-Detek
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4.2.2Herstellung segmentierter Si-D
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4.2.3AC gekoppelte DetektorenAllgem
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Seite 81 und 82: 4.2.3AC gekoppelte Detektoren Punch
Seite 83 und 84: 4.2.3AC gekoppelte Detektoren FOXFE
Seite 85 und 86: 4.2.4Doppelseitige Streifendetektor
Seite 95 und 96: 4.3 Pixeldetektoren Allgemeines, Na
Seite 97 und 98: 4.3 Pixeldetektoren Bump Bonding -
Seite 99 und 100: 4.3 Pixeldetektoren Bump Bonding -
Seite 101 und 102: 4.4 Ortsauflösung von Si-Microstri
Seite 115 und 116: 4.5 Signal-Rausch-VerhältnisRausch
Seite 117 und 118: 4.5 Signal-Rausch-Verhältnis Detek
Seite 123 und 124: 4.6 Strahlenschäden in Si-Detektor
Seite 129: 4.6 Strahlenschäden in Si-Detektor
Seite 157 und 158: Nützliche Referenzen - 1✭ Buch
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