4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

4.1.4 Der pn-ÜbergangVerhalten in Sperrichtung (Reverse Bias)Legt man eine externe Spannung V mit derAnode an den n- und der Kathode an den p-dotierten Teil, so werden diejeweiligen Majoritätsladungsträger inRichtung der Elektroden “abgezogen”.Dadurch wird die Verarmungszone breiter.pn-Übergang in SperrichtungIm Bandschema betrachtet, wird die internePotentialbarriere am Übergang um den WerteV vergrößert und so die Diffusion über dieGrenzschicht hinweg unterdrückt. In ersterNäherung fließt hier kein Strom. Einige inder Verarmungszone thermisch generiertenLadungsträgerpaare verursachen abereinen Driftstrom in Gegenrichtung. InSumme fließt also ein sehr kleiner Strom,der sogenannte Leckstrom oder Sperrstrom.M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 45