4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

4.2.4Doppelseitige StreifendetektorenField Plates – 1★ Verwendung von MOS-Strukturen zur Unterbrechung der Akkumulationslage:Auf dem Oxid aufgebrachte Metallisierungen welche in Bezug auf die n +-Streifen auf negativem Potential liegen, verdrängen die e – vom Si-SiO 2-Interface.➔ Ab einer gewissen Schwellwertspannung an der MOS-Struktur sind die n + -Streifen ausreichend voneinander isoliert um die Funktionstauglichkeit desdoppelseitigen Detektors zu gewährleisten.★ Praktische Ausführung bei AC-gekoppelten Detektoren: Breitere Metallisie-rungen der Auslesestreifen dienen gleichzeitig als Field Plates.Bild oben: Prinzip der Unter-brechung der e – -Akkumulations-lage durch Field PlatesBild oben: n + -Seite eines AC-gekoppeltenDetektors. Die verbreiterten Auslese-streifen dienen gleichzeitig als Field Plates.M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 88rechtes Bild nach: A. Peisert, Silicon MicrostripDetectors, DELPHI 92-143 MVX 2, CERN, 1992