4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

4.2.3AC gekoppelte DetektorenAllgemeines – 2★ Integrierte Koppelkapazitäten können einfachim Rahmen des normalen Planarprozesseszur Detektorstrukturierung hergestellt werden.★ Üblicherweise verwendet man dabei SiO 2 miteiner Dicke von 100–200 nm als Kondensator-Dielektrikum zw. dem p + -Implantat und derMetallisierung des Auslesestreifens ★ Je nach SiO 2 -Dicke und Streifenbreite ergebensich Kapazitäten von 8–32 pF/cm.★ Probleme stellen sogenannte Pinholes dar, dassind Defekte (Löcher) im Dielektrikum, durchwelche der Sperrstrom fließen kann.Bild unten: Prinzip eines AC-gekoppeltenDetektors (Querschnitt, nichtmaßstabsgetreu).★ Für den Anschluß der Bias-Spannung gibt es mehrere Möglichkeiten: Z.B.über integrierte Widerstände aus polykristallinem Silizium (“PolysiliconResistors”) oder Verwendung der Verarmungszonen von Streifen und BiasLine (“Punch Through Bias” und FOXFET-Bias).M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 77