4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

4.2.3AC gekoppelte Detektoren Punch Through Bias – 1★ Bei der Punch Through Bias besitzt auch die Bias Line ein p + -Implantat undliegt nur wenige µm von den Streifen entfernt. ★ Durch Anlegen einer ausreichend großen Spannung an der Bias Line ergibtsich eine Verbindung der Verarmungszonen von Streifen und Bias Line. ★ Übersteigt die angelegte Spannung den Wert einer bestimmten Schwell-wertspannung (“Punch Through Voltage”), so folgt die Spannung an denStreifen der Spannung an der Bias Line.★ Die Spannung an den Streifen ist in sehr guter Näherung die an der BiasLine angelegte Spannung abzüglich der Schwellwertspannung.★ Vorteil: Die Herstellung ist einfacher als jene von Poly-Si-Widerständen. Beider Detektorproduktion ist kein zusätzlicher Schritt nötig, der p + -Bereich derBias Line kann im selben Arbeitsschritt erzeugt werden wie die Implantateder Streifen.★ Nachteil: Struktur nicht strahlungshart.M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 80