4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

4.6 Strahlenschäden in Si-DetektorenAuswirkungen auf die Effektive Dotierkonzentration:Annealing – 2Die Änderung der effektiven Dotierkonzentration nach einer Bestrahlung (N eff )im Vergleich zu jener vor der Bestrahlung (N 0 ) ist zeit- und temperaturabhängigund setzt sich zusammen aus verschiedenen Schädigungsbeiträgen:ΔN eff (Φ eq ,t,T ) ≡ N 0 − N eff (Φ eq ,t,T ) = N c (Φ eq ) + N a (Φ eq ,t,T ) + N y (Φ eq ,t,T )€Dabei ist:N c … Anteil der stabilen PrimärschädenN a … Defekte welche im Laufe der Zeitausheilen (Annealing)N y … schädigende Sekundärdefekte,welche sich erst im Laufe der Zeitherausbilden (Reverse Annealing)Bild rechts: Langzeitverhalten von ΔN eff (t) eines Si-Detektors nach einer Bestrahlung mitΦ eq = 1.4·10 13 cm -2 und anschließender Lagerung bei T = 60°C. nach:G. Lindström, Radiation Damage in Silicon Detectors, Nucl. Instr. Meth. A 512, 30 (2003)M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 147