4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

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4.1.2 MaterialeigenschaftenMaterialeigenschaften einiger wichtiger Halbleiter – 2Material Si Ge GaAs GaP CdTe Diamant * eff. Zustandsdichte imLeitungsband n CB (cm -3 )eff. Zustandsdichte imValenzband n VB (cm -3 )Elektronen-Mobilität µ e bei 300 K (cm 2 /Vs)Löcher-Mobilität µ h bei 300 K (cm 2 /Vs)instrins. Ladungsträgerdichtebei 300 K (cm -3 )instrins. Widerstand bei300 K (Ω cm)3 · 10 19 1 · 10 19 4.7 · 10 17 2 · 10 19 ≈ 10 201 · 10 19 6 · 10 18 7 · 10 18 2 · 10 19 ≈ 10 19~1450 3900 8500 < 300 1050 1800~450 1900 400 < 150 100 12001.45 · 10 10 2.4 · 10 13 2 · 10 6 2 ≈ 10 -272.3· 10 5 47 ≈ 10 8 ≈ 10 9 ≥ 10 42*zählt eigentlich als IsolatorDurchbruchfeldst. (V/cm) 3 · 10 5 ≈ 10 5 4 · 10 5 ≈ 10 6 3 · 10 7mittlere E für e – h + -Paar-Erzeugung (eV), 300 K3.62 2.9 4.2 ≈ 7 4.43 13.25Quellen, u.a.:http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/ ; S.M.Sze, Physics of Semicon. Devices, J. Wiley & Sons, 1985,J. Singh, Electronic & Optoelectronic Properties of Semiconductor Structures, Cambridge University Press, 2003M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 23
4.1.2 MaterialeigenschaftenBandlücke und Gitterkonstante einiger HalbleiterBandlücke vs. Gitterkonstante für wichtige Verbindungshalbleiter:** Anmerkung: Daten für Raumtemperatur.Beachte: GaAs und AlAs weisen nur wenigUnterschied in der Gitterkonstanten auf,was epitaktisches Aufwachsen von diesenbeiden Materialien aufeinander ermöglicht.Der eingefärbte Bereich zeigt die Aus-wirkungen eines unterschiedlichen Zink-Gehaltes in einer Cd 1-x Zn x Te-Verbindung.Quelle: A. Owens, A. Peacock, Compound Semiconductor Radiation Detectors, Nucl. Instr. Meth. A 351, 18 (2004)M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 24
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Seite 22 und 23: 4.1.2 MaterialeigenschaftenSpezifis
Seite 26 und 27: 4.1.2 MaterialeigenschaftenBandlüc
Seite 28 und 29: 4.1.2 MaterialeigenschaftenExkurs:
Seite 31 und 32: 4.1.3 DotierungBändermodell: n-Dot
Seite 33 und 34: 4.1.3 DotierungBändermodell: p-Dot
Seite 35 und 36: 4.1.3 DotierungÜberblick - 2★ In
Seite 37 und 38: 4.1.3 DotierungFermi-Niveau im doti
Seite 39 und 40: 4.1.3 DotierungLadungsträgerkonzen
Seite 41 und 42: 4.1.3 DotierungSpezifischer Widerst
Seite 43 und 44: 4.1.4 Der pn-ÜbergangElektrische C
Seite 45 und 46: 4.1.4 Der pn-ÜbergangVerhalten in
Seite 47 und 48: 4.1.4 Der pn-ÜbergangBreite der Ve
Seite 49 und 50: 4.1.4 Der pn-ÜbergangDiodenkennlin
Seite 51 und 52: 4.1.5DetektorcharakteristikaBreite
Seite 53 und 54: 4.1.5DetektorcharakteristikaDunkels
Seite 55 und 56: 4.1.5DetektorcharakteristikaDunkels
Seite 57 und 58: 4.1.5DetektorcharakteristikaDetekto
Seite 59 und 60: 4.1.5DetektorcharakteristikaZeitlic
Seite 61 und 62: 4.2 Silizium-StreifendetektorenEinf
Seite 63 und 64: 4.2.1Prinzip eines Microstrip-Detek
Seite 65 und 66: 4.2.2Herstellung segmentierter Si-D
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4.2.2Herstellung segmentierter Si-D
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4.2.3AC gekoppelte DetektorenAllgem
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4.2.3AC gekoppelte DetektorenPolysi
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4.2.3AC gekoppelte Detektoren Punch
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4.2.3AC gekoppelte Detektoren FOXFE
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4.2.4Doppelseitige Streifendetektor
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4.3 Pixeldetektoren Allgemeines, Na
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4.3 Pixeldetektoren Bump Bonding -
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4.3 Pixeldetektoren Bump Bonding -
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4.4 Ortsauflösung von Si-Microstri
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4.5 Signal-Rausch-VerhältnisRausch
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4.5 Signal-Rausch-Verhältnis Detek
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4.6 Strahlenschäden in Si-Detektor
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