4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

4.1.3 DotierungLadungsträgerkonzentration im dotierten Material – 2Auch im dotierten Halbleiter muß in Summe klarerweise immer Ladungs-neutralität herrschen:n e + N A = n h + N D(für 1-fach ionisierteDotieratome)Weiters bleibt auch im dotierten Halbleiter gültig, dass das Produkt derLadungsträgerkonzentrationen €stets konstant ist und denselben Wert hatwie im intrinsischen Fall (“Massenwirkungsgesetz”):⎛n e n h = n 2 i = N C N V ⋅ exp − E g⎜⎝ kT⎞⎟⎠Eine Erhöhung der Majoritätsladungsträgerdichte hat also immer eineentsprechende Verringerung der Minoritätsladungsträgerdichte zur Folge.€n e ,n h … Konzentration der Leitungselektronen bzw. Defektelektronen im dotierten MaterialN D , N A … Konzentration der Donatoren bzw. Akzeptoren im dotierten Materialn i … intrinsische LadungsträgerkonzentrationM. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 38