4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

4.6 Strahlenschäden in Si-Detektoren Allgemeines – 3★★Im Prinzip laufen alle Strahlenschäden in einem Halbleiterkristall auf dasEinfügen zusätzlicher Energieniveaus innerhalb der Bandlücke hinaus.Diese zusätzlichen Energieniveaus können, je nach ihrer energetischen Lageinnerhalb der Bandlücke, folgende Auswirkungen haben:1. Veränderung der effektiven Dotierkonzentration durch Bildunggeladener Defekte und damit Verschiebung der für vollständigeVerarmung nötigen Sperrspannung. Hier sind vor allem “flache”Störstellen (mit Niveaus nahe der Bandkanten) von Bedeutung.2. Einfang von freien Elektronen und Löchern (durch Niveaus mittlererTiefe) und dadurch Verminderung der Ladungsträgerlebensdauer.3. Leichtere Überwindung der Bandlücke über die eingebrachtenEnergieniveaus und dadurch Erhöhung des Dunkelstromes. Hiersind “tiefe” Störstellen (mit Niveaus nahe der Mitte der Bandlücke)besonders wirksam.M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 125