4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

4.2.2Herstellung segmentierter Si-Detektoren — Planartechnologie – 11. Ausgangsmaterial: Einkristalliner Wafer ausleicht n-dotiertem (N D ≈ 1–5·10 12 cm -3 )Reinstsilizium.2. Oberflächenpassivierung durch SiO 2 -Schicht(ca. 200 nm dick). Z.B. Aufwachsen durch(trockene) thermische Oxidation bei 1030°C.3. Öffnen der “Fenster” für die zu dotierendenBereiche mittels Photolithographie undanschließendem Ätzen des SiO 2 . Z.B. Freilegenvon streifenförmigen Elektroden (Streifenbreite≥ 10 µm, Toleranz < 1 µm).4. Dotieren mittels Ionenimplantation. Z.B. für diep + -Streifen: Bor, 15 keV, N A ≈ 5·10 16 cm -2 ; für denohmschen Rückkontakt: Arsen, 30 keV,N D ≈ 5·10 15 cm -2) . — Alternative: Diffusion. M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 65