4. Halbleiterdetektoren - HEPHY
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<strong>4.</strong>1.3 DotierungBindungsmodell: p-Dotierung am Beispiel von SiBei Einbau eines 3-wertigen Atoms(z.B. B, Al, Ga, In) in ein Kristallgitteraus 4-wertigen Si-Atomen kann eineBindung eines angrenzenden Si-Atoms nicht abgesättigt werden. Dieoffene Bindung neigt dazu, ein Va-lenzelektron aus dem umgebendenGitter aufzunehmen. Das Fremd-atom wird daher Akzeptor genannt.Durch das eingefangene Valenz-elektron entsteht an anderer Positionein frei bewegliches Defektelektron(Loch). An der Gitterposition desFremdatoms bleibt ein negativgeladenes Ion zurück. Beachte: Zu dem so generierten Lochexistiert kein zugehörigesLeitungselektron.M. Krammer: Detektoren, SS 09 <strong>Halbleiterdetektoren</strong> 31
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