4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

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4.5 Signal-Rausch-VerhältnisAllgemeinesDas Rauschen am Ende der Detektor-Auslesekette setzt sich aus Beiträgen vomDetektor selbst, der Bias-Schaltung und vom Design der Ausleseelektronik zusammen.★ Üblicherweise gibt man als Parameter für die Größe des Rauschens dieZahl der Elementarladungen an, welche diesem Rauschen entspricht. Manbezeichnet diesen Parameter als “equivalent noise charge” (ENC).Das eigentliche Detektorrauschen stammt von thermisch generierten Elektron-Loch-Paaren innerhalb des Detektors. Durch das über die externeSperrspannung erzeugte elektrische Feld können diese Ladungsträgernicht wieder miteinander rekombinieren sondern driften alsDetektordunkelstrom zu den Elektroden.M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 113
4.5 Signal-Rausch-VerhältnisRauschanteileAnteile zum Rauschen liefern die Detektorkapazität C, der Dunkelstrom I, derDetektor-Parallelwiderstand R p sowie der serielle Auslesewiderstand R s .Angegeben wird das Rauschen meist in Ladungsäquivalenten der Elementar-ladung (“equivalent noise charge”, ENC):wobei:ENC = ENC 2 C + ENC 2 2I + ENC Rp2+ ENC RsENC C= € a + b ⋅ CENC I = e 2It pee .… Eulersche Zahl (2.718...)e … Elementarladunga,b … Verstärkerparametert p … Integrationszeit€ENC Rp= e ekTt p2R p€€ENC Rs ≈ 0.395 C R st p€M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 114
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4. HalbleiterdetektorenDetektoren i
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4.1 Allgemeine GrundlagenVerwendete
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4.1.2 MaterialeigenschaftenKristall
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4.1.2 MaterialeigenschaftenFermi-Di
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4.1.2 MaterialeigenschaftenIntrinsi
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4.1.2 MaterialeigenschaftenDriftges
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4.1.2 MaterialeigenschaftenSpezifis
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4.1.2 MaterialeigenschaftenMaterial
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4.1.2 MaterialeigenschaftenBandlüc
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4.1.2 MaterialeigenschaftenExkurs:
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4.1.3 DotierungBändermodell: n-Dot
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4.1.3 DotierungBändermodell: p-Dot
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4.1.3 DotierungÜberblick - 2★ In
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4.1.3 DotierungFermi-Niveau im doti
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4.1.3 DotierungLadungsträgerkonzen
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4.1.3 DotierungSpezifischer Widerst
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4.1.4 Der pn-ÜbergangElektrische C
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4.1.4 Der pn-ÜbergangVerhalten in
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4.1.4 Der pn-ÜbergangBreite der Ve
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4.1.4 Der pn-ÜbergangDiodenkennlin
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4.1.5DetektorcharakteristikaBreite
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4.1.5DetektorcharakteristikaDunkels
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4.1.5DetektorcharakteristikaDunkels
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4.1.5DetektorcharakteristikaDetekto
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4.1.5DetektorcharakteristikaZeitlic
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4.2 Silizium-StreifendetektorenEinf
Seite 63 und 64: 4.2.1Prinzip eines Microstrip-Detek
Seite 65 und 66: 4.2.2Herstellung segmentierter Si-D
Seite 77 und 78: 4.2.3AC gekoppelte DetektorenAllgem
Seite 79 und 80: 4.2.3AC gekoppelte DetektorenPolysi
Seite 81 und 82: 4.2.3AC gekoppelte Detektoren Punch
Seite 83 und 84: 4.2.3AC gekoppelte Detektoren FOXFE
Seite 85 und 86: 4.2.4Doppelseitige Streifendetektor
Seite 95 und 96: 4.3 Pixeldetektoren Allgemeines, Na
Seite 97 und 98: 4.3 Pixeldetektoren Bump Bonding -
Seite 99 und 100: 4.3 Pixeldetektoren Bump Bonding -
Seite 101 und 102: 4.4 Ortsauflösung von Si-Microstri
Seite 113: 4.4 Ortsauflösung von Si-Microstri
Seite 117 und 118: 4.5 Signal-Rausch-Verhältnis Detek
Seite 123 und 124: 4.6 Strahlenschäden in Si-Detektor
Seite 157 und 158: Nützliche Referenzen - 1✭ Buch
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