4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

4.1.2 MaterialeigenschaftenMaterialeigenschaften einiger wichtiger Halbleiter – 2Material Si Ge GaAs GaP CdTe Diamant * eff. Zustandsdichte imLeitungsband n CB (cm -3 )eff. Zustandsdichte imValenzband n VB (cm -3 )Elektronen-Mobilität µ e bei 300 K (cm 2 /Vs)Löcher-Mobilität µ h bei 300 K (cm 2 /Vs)instrins. Ladungsträgerdichtebei 300 K (cm -3 )instrins. Widerstand bei300 K (Ω cm)3 · 10 19 1 · 10 19 4.7 · 10 17 2 · 10 19 ≈ 10 201 · 10 19 6 · 10 18 7 · 10 18 2 · 10 19 ≈ 10 19~1450 3900 8500 < 300 1050 1800~450 1900 400 < 150 100 12001.45 · 10 10 2.4 · 10 13 2 · 10 6 2 ≈ 10 -272.3· 10 5 47 ≈ 10 8 ≈ 10 9 ≥ 10 42*zählt eigentlich als IsolatorDurchbruchfeldst. (V/cm) 3 · 10 5 ≈ 10 5 4 · 10 5 ≈ 10 6 3 · 10 7mittlere E für e – h + -Paar-Erzeugung (eV), 300 K3.62 2.9 4.2 ≈ 7 4.43 13.25Quellen, u.a.:http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/ ; S.M.Sze, Physics of Semicon. Devices, J. Wiley & Sons, 1985,J. Singh, Electronic & Optoelectronic Properties of Semiconductor Structures, Cambridge University Press, 2003M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 23