4. Halbleiterdetektoren - HEPHY
4. Halbleiterdetektoren - HEPHY
4. Halbleiterdetektoren - HEPHY
Sie wollen auch ein ePaper? Erhöhen Sie die Reichweite Ihrer Titel.
YUMPU macht aus Druck-PDFs automatisch weboptimierte ePaper, die Google liebt.
<strong>4.</strong>6 Strahlenschäden in Si-Detektoren NIEL Hypothese: Hardness Factor★★Mit Hilfe der Damage Function kann man nun für jede Strahlungsart einen“Hardness Factor” κ definieren, welcher einen Vergleich der Schädigungs-wirkung verschiedener Strahlungsarten erlaubt.Man definiert κ so, daß der Strahlenschaden durch eine bestimmte Strah-lung verglichen wird mit dem Schaden welcher von einem gleichen integrier-ten Fluss monoenergetischer Neutronen mit 1 MeV hervorgerufen wird:κ =∫ D(E ) Φ(E )dED(E neutron = 1MeV) Φ(E )dE∫★★D(E n = 1 MeV) wird dabei auf 95 MeVmb festgesetzt.Der zu einem € integriertem Fluss Φ äquivalente integrierte Fluss von 1 MeVNeutronen Φ eq kann somit berechnet werden mittels:Φ eq= κ ⋅ ΦM. Krammer: Detektoren, SS 09 <strong>Halbleiterdetektoren</strong> 139€
Change language