4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

4.2.2Herstellung segmentierter Si-Detektoren — Metallisierung – 1★ Für die Metallbeschichtung wird meist Aluminium verwendet:– gute elektrische Leitfähigkeit (≈ 3.7·10 7 S/m)– haftet sehr gut auf Si und SiO 2 – kann photolithographisch bearbeitet werden– ideal für weiterführende elektr. Kontaktierung (“Bonden”)★ Die Metallisierung kann durch Aufdampfen im Hochvakuum oder durchKathodenstrahlzerstäubung (“Sputtern”) erfolgen.★ Metallisierungsprozess:– Passivierung der Detektoroberfläche mit Siliziumnitrid, SiO 2 oderPolyimid– Öffnen der Kontaktfenster durch Photolithographie– Aufdampfen oder Sputtern des Metalls– Photolithographie zur Abdeckung der Metallkontakte– Wegätzen des überschüssigen MetallsM. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 73