4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

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4.1.4 Der pn-ÜbergangAusbildung eines pn-ÜbergangesBringt man einen n- und einen p-Leiter in Kontakt, so muss im thermischen Gleich-gewicht die Fermi-Energie ident sein. Die Anpassung der zuvor unterschied-lichenFermi-Niveaus wird erreicht durch die Diffusion der jeweiligen Majoritäts-ladungsträger in den anders dotierten Bereich. Dadurch baut sich am Übergangeine Raumladung auf, welche das weitere Eindringen von e – und Löchern in dieÜbergangszone verhindert. Es entsteht somit ein stabiler ladungsträgerfreierBereich (Verarmungszone).M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 41
4.1.4 Der pn-ÜbergangElektrische Charakteristika eines abrupten pn-ÜbergangsM. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 42
Seite 1: 4. HalbleiterdetektorenDetektoren i
Seite 7 und 8: 4.1 Allgemeine GrundlagenVerwendete
Seite 10: 4.1.2 MaterialeigenschaftenKristall
Seite 13 und 14: 4.1.2 MaterialeigenschaftenFermi-Di
Seite 15 und 16: 4.1.2 MaterialeigenschaftenIntrinsi
Seite 18: 4.1.2 MaterialeigenschaftenDriftges
Seite 22 und 23: 4.1.2 MaterialeigenschaftenSpezifis
Seite 24 und 25: 4.1.2 MaterialeigenschaftenMaterial
Seite 26 und 27: 4.1.2 MaterialeigenschaftenBandlüc
Seite 28 und 29: 4.1.2 MaterialeigenschaftenExkurs:
Seite 31 und 32: 4.1.3 DotierungBändermodell: n-Dot
Seite 33 und 34: 4.1.3 DotierungBändermodell: p-Dot
Seite 35 und 36: 4.1.3 DotierungÜberblick - 2★ In
Seite 37 und 38: 4.1.3 DotierungFermi-Niveau im doti
Seite 39 und 40: 4.1.3 DotierungLadungsträgerkonzen
Seite 41: 4.1.3 DotierungSpezifischer Widerst
Seite 45 und 46: 4.1.4 Der pn-ÜbergangVerhalten in
Seite 47 und 48: 4.1.4 Der pn-ÜbergangBreite der Ve
Seite 49 und 50: 4.1.4 Der pn-ÜbergangDiodenkennlin
Seite 51 und 52: 4.1.5DetektorcharakteristikaBreite
Seite 53 und 54: 4.1.5DetektorcharakteristikaDunkels
Seite 55 und 56: 4.1.5DetektorcharakteristikaDunkels
Seite 57 und 58: 4.1.5DetektorcharakteristikaDetekto
Seite 59 und 60: 4.1.5DetektorcharakteristikaZeitlic
Seite 61 und 62: 4.2 Silizium-StreifendetektorenEinf
Seite 63 und 64: 4.2.1Prinzip eines Microstrip-Detek
Seite 65 und 66: 4.2.2Herstellung segmentierter Si-D
Seite 77 und 78: 4.2.3AC gekoppelte DetektorenAllgem
Seite 79 und 80: 4.2.3AC gekoppelte DetektorenPolysi
Seite 81 und 82: 4.2.3AC gekoppelte Detektoren Punch
Seite 83 und 84: 4.2.3AC gekoppelte Detektoren FOXFE
Seite 85 und 86: 4.2.4Doppelseitige Streifendetektor
Seite 93 und 94:
4.2.4Doppelseitige Streifendetektor
Seite 95 und 96:
4.3 Pixeldetektoren Allgemeines, Na
Seite 97 und 98:
4.3 Pixeldetektoren Bump Bonding -
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4.3 Pixeldetektoren Bump Bonding -
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4.4 Ortsauflösung von Si-Microstri
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Seite 115 und 116:
4.5 Signal-Rausch-VerhältnisRausch
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4.5 Signal-Rausch-Verhältnis Detek
Seite 119 und 120:
Seite 121 und 122:
Seite 123 und 124:
4.6 Strahlenschäden in Si-Detektor
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