4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

4.6 Strahlenschäden in Si-Detektoren Motivation★ In zukünftigen Hadron-Kollisionsmaschinen (wie z.B. dem pp-Collider LHC mitKollisionsenergien von 14 TeV und Ereignisraten von 10 9 s -1 ) wird die Strah-lenbelastung für Detektoren nahe des Wechselwirkungspunktes enorm sein.★ Das Verstehen von Strahlenschäden in Halbleiterdetektoren und die Ent-wicklung möglichst strahlungsharter Detektoren für den Vertexbereich sinddaher zentrale Themen in der aktuellen Detektorforschung.* Bild links: Erwartete Teilchenzahlenim inneren Bereich des CMS-Experi-ments (am LHC), integriert über 10Jahre Laufzeit, in Abhängigkeit vonder Position entlang der Strahlachseund für verschiedene radiale Entfer-nungen vom Wechselwirkungspunkt.Nach: CERN/LHCC 98-6, CMS TDR 5, 20 April 1998* Da auch in Zukunft primär Silizium das Material für den Bau von Vertexdetektoren sein wird, werdenim folgenden Strahlenschäden am Beispiel von Si-Detektoren diskutiert. Viele der hier gemachtenallgemeinen Betrachtungen lassen sich aber direkt auf andere Halbleitermaterialien übertragen.M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 122