4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

4.6 Strahlenschäden in Si-DetektorenMakroskopische Schädigungen: Zusammenfassung★ Die Bildung von Generations-/Rekombinationszentren führt zu einem Ansteigendes Dunkelstroms. Damit verbunden sind u.a. ein Anstieg des Rauschens undder Leistungsaufnahme (➔ Probleme mit Kühlung).★ Die Erzeugung geladener Defekte verändert die effektive Dotierung und somitdie Full Depletion Voltage. Steigt die nötige Verarmungsspannung über dieDurchbruchspannung, so kann der Detektor nicht mehr völlig verarmt betriebenwerden. Die Folgen reichen vom tw. Signalverlust bis zum Totalausfall.★ Das Auftreten von (ungeladenen) “Trapping Centers” verkürzt die Ladungs-trägerlebensdauer und vermindert so die Charge Collection Efficiency (➔ Verkleinerung des Signals).★ Schädigungen an der Oberfläche bzw. im Oxid führen zu vermehrtenOxidladungen und zusätzlichen Oberflächenzuständen, wodurch unteranderem die elektrische Separation der einzelnen Ausleseelektrodenschlechter wird (Verteilung des Signals auf viele Streifen ➔ schlechtereOrtsauflösung ).M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 154