4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

4.2.2 Herstellung segmentierter Si-Detektoren — Guard RingsDurch das Schneiden des Wafers werden an den Kanten Kristallfehler im Gittererzeugt und somit zusätzliche Oberflächenzustände generiert. Diesverursacht beträchtliche Leckströme zu den Detektorkanten und reduziertdie Durchbruchsspannung des Detektors.★ Das aktive Detektorgebiet wird daher bei allenDetektoren von (mindestens) einem Guard Ringumgeben. Dieser ist meist in Form eines p +-Implantates ausgeführt, welches auf dem gleichenPotential wie die aktiven p + -Implantate liegt.★ Dadurch fließen die durch Kristallfehler an derOberfläche verursachten Leckströme primärzwischen den Kanten und dem Guard Ring undtragen somit nichts zum innerhalb des aktivenDetektorgebietes gemessenen Dunkelstrom bei.M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 75