4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

4.2.2Herstellung segmentierter Si-Detektoren — Lithographie – 2Der lithographische Prozess umfasst folgende Schritte:★ Flächiges Beschichten mit Resist (Lack liegt in (zäh-)flüssiger Lösung vor).★ Trocknen der Lackschicht (“pre-bake”).★ selektive Belichtung (z.B. mittels einer Schattenmaske).★ eventuell thermische Nachbehandlung des Lackes (“post-bake”).★ Entwickeln ➔ strukturierter Lack auf Oberfläche.★ Ätzen oder Beschichtung:– Ätzen: Lack unempfindlich gegenüber Ätze ➔ schützt abgedeckteBereiche; freiliegendes SiO 2 wird hingegen abgetragen– Beschichten (z.B. bei Metallisierung): flächige Beschichtung; in denabgedeckten Bereichen wird die Beschichtung aber anschließendgemeinsam mit dem Lack entfernt ➔ nur ursprünglich freiliegendeBereiche bleiben beschichtet★ Entfernen des Lacks mittels organischer Lösungsmittel (“Lackstrippen”).M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 69