4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

4.6 Strahlenschäden in Si-DetektorenAuswirkungen auf die Charge Collection Efficiency – 1★ Eine Verminderung der Charge Collection Efficiency (CCE, Effizienz bei derSammlung der generierten Ladungsträger) bei bestrahlten Detektoren kannin manchen Fällen tw. auf eine Veränderung der Full Depletion Voltage V FDund damit eine unabsichtliche “Underdepletion” ( = nicht vollständigeVerarmung des Detektors) zurückzuführen sein. Solange aber V FD unter derDurchbruchspannung liegt, kann dies relativ einfach durch Erhöhung derBetriebsspannung kompensiert werden.★ Die Wahrscheinlichkeit, dass ein freier Ladungsträger eingefangen wird, undsomit auch die Charge Collection Efficiency, hängt klarerweise von derDriftzeit der freien Ladungsträger und damit von der angelegten Betriebs-spannung ab. Bei nicht bestrahlten Detektoren saturiert die CCE beiErreichen der Full Depletion Voltage.★ Bestrahlte Detektoren sollten zur optimalen Ladungsträgersammlung stets mitSpannungen oberhalb von V FD betrieben werden (“overdepleted”). Dennocherreicht die CCE in der Praxis keine Sättigung und liegt stets unter jener fürnicht bestrahlte Detektoren.M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 149