4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

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4.6 Strahlenschäden in Si-Detektoren NIEL Hypothese: Damage Function 1In jeder Stoßreaktion die zu einer Versetzung eines Gitteratoms führt, wird einPKA mit einer bestimmten Stoßenergie (“Recoil Energy”) E R erzeugt. JenerAnteil der Stoßenergie der in Form von Gitterversetzungen deponiert wird hängtvon E R ab und kann analytisch mit Hilfe der Lindhard-Verteilungsfunktion P(E R )berechnet werden. Damit kann man die Schäden durch NIEL berechnen und inForm eines “Displacement Damage”-Wirkungsquerschnittes (auch “DamageFunction”) ausdrücken:∑E RmaxD(E ) = σ ν (E ) ⋅ ∫ f ν (E ,E R ) P (E R ) dE RνDer Index ν läuft über all jene möglichen Reaktionen zw. einem einfallendenTeilchen und einem Gitteratom welche zu einer Versetzung des Atoms führen. σ ν ist der zur € Reaktion ν gehörende Wirkungsquerschnitt und f ν (E,E R ) gibt dieWahrscheinlichkeit für die Erzeugung eines PKA mit der Energie E R durch eineinfallendes Teilchen der Energie E über die Reaktion ν an. Die Integration läuftüber alle möglichen Rückstoßenergien. Unterhalb des minimalen Schwellwertesist allerdings die Verteilungsfunktion Null: P(E R < E d,min ) = 0.M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 1370
4.6 Strahlenschäden in Si-Detektoren NIEL Hypothese: Damage Function 2Schädigung durch Non-Ionising Energy Loss (NIEL) für verschiedene einfallende Teilchenin Abhängigkeit von der ursprünglichen Teilchenenergie. Die gezeigte Schädigung D(E)ist mittels Division durch 95 MeV mb normiert auf den von 1 MeV Neutronen hervorge-rufenen Schaden.Quelle: G. Lindström, Radiation Damage in Silicon Detectors, Nucl. Instr. Meth. A 512, 30 (2003)M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 138
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4. HalbleiterdetektorenDetektoren i
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4.1 Allgemeine GrundlagenVerwendete
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4.1.2 MaterialeigenschaftenKristall
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4.1.2 MaterialeigenschaftenFermi-Di
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4.1.2 MaterialeigenschaftenIntrinsi
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4.1.2 MaterialeigenschaftenDriftges
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4.1.2 MaterialeigenschaftenSpezifis
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4.1.2 MaterialeigenschaftenMaterial
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4.1.2 MaterialeigenschaftenBandlüc
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4.1.2 MaterialeigenschaftenExkurs:
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4.1.3 DotierungBändermodell: n-Dot
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4.1.3 DotierungBändermodell: p-Dot
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4.1.3 DotierungÜberblick - 2★ In
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4.1.3 DotierungFermi-Niveau im doti
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4.1.3 DotierungLadungsträgerkonzen
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4.1.3 DotierungSpezifischer Widerst
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4.1.4 Der pn-ÜbergangElektrische C
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4.1.4 Der pn-ÜbergangVerhalten in
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4.1.4 Der pn-ÜbergangBreite der Ve
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4.1.4 Der pn-ÜbergangDiodenkennlin
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4.1.5DetektorcharakteristikaBreite
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4.1.5DetektorcharakteristikaDunkels
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4.1.5DetektorcharakteristikaDunkels
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4.1.5DetektorcharakteristikaDetekto
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4.1.5DetektorcharakteristikaZeitlic
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4.2 Silizium-StreifendetektorenEinf
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4.2.1Prinzip eines Microstrip-Detek
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4.2.2Herstellung segmentierter Si-D
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4.2.3AC gekoppelte DetektorenAllgem
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4.2.3AC gekoppelte DetektorenPolysi
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4.2.3AC gekoppelte Detektoren Punch
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4.2.3AC gekoppelte Detektoren FOXFE
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4.2.4Doppelseitige Streifendetektor
Seite 87 und 88: 4.2.4Doppelseitige Streifendetektor
Seite 95 und 96: 4.3 Pixeldetektoren Allgemeines, Na
Seite 97 und 98: 4.3 Pixeldetektoren Bump Bonding -
Seite 99 und 100: 4.3 Pixeldetektoren Bump Bonding -
Seite 101 und 102: 4.4 Ortsauflösung von Si-Microstri
Seite 115 und 116: 4.5 Signal-Rausch-VerhältnisRausch
Seite 117 und 118: 4.5 Signal-Rausch-Verhältnis Detek
Seite 123 und 124: 4.6 Strahlenschäden in Si-Detektor
Seite 137: 4.6 Strahlenschäden in Si-Detektor
Seite 157 und 158: Nützliche Referenzen - 1✭ Buch
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