4. Halbleiterdetektoren - HEPHY
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<strong>4.</strong>4 Ortsauflösung von Si-MicrostripsDiffusion – 3★ Entgegen naiver Vermutungen ist der Einfluss der Verbreiterung durchDiffusion auf die Ortsauflösung positiv. Bei gegebenem Streifenabstand gilt:größere Diffusion ➔ bessere Ortsauflösung★ Grund dafür ist, daß man beim Ansprechen mehrerer Streifen die Position desursprünglichen Durchtrittspunktes durch Berechnung des Ladungs-schwerpunktes ermitteln kann.★ Voraussetzung dafür ist aber, daß nicht nur das Ansprechen eines Detektor-streifens gemeldet wird, sondern daß die Signalhöhe ausgelesen wird.★ Damit sind der Streifenabstand und das Signal-zu-Rausch-Verhältniswesentliche Parameter zur Festlegung der Detektorauflösung.★ Die Verbesserung der Auflösung durch Bestimmen des Ladungsschwer-punktes ist bisher durch den kleinsten erzielbaren Streifenabstand (bisher≈ 25 µm) limitiert, da die Breite der Ladungsverteilung meist schmäler ist(FWHM ≈ 5–20 µm, abhängig von den zurückgelegten Distanzen und vonder Größe des Driftfeldes).M. Krammer: Detektoren, SS 09 <strong>Halbleiterdetektoren</strong> 106