4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

4.1.3 DotierungLadungsträgerkonzentration im dotierten Material – 1Die Ladungsträgerkonzentrationen können analog zum intrinsischen Fallberechnet werden, man muß aber die neue Lage des Fermi-Niveaus E Fberücksichtigen.In einem n-Halbleiter wird die Ladungsträgerkonzentration dominiert durch N Cund (E C –E F ):⎛n e ,n = N C ⋅ exp − E C − E F⎜⎝ kT⎞ ⎛⎟ = n i ⋅ exp E F − E i⎜⎠ ⎝ kT⎞⎟⎠mit: E F = E F , nE i = E F , i €In einem p-Halbleiter wird die Ladungsträgerkonzentration dominiert durch N Vund (E F –E V ):⎛n h,p = N V ⋅ exp − E F − E V⎜⎝ kT⎞ ⎛⎟ = n i ⋅ exp E i − E⎜ F⎠ ⎝ kT⎞⎟⎠mit: E F = E F , pE i = E F , i €E i = Fermi-Niveau im intrinsischen Halbleiter M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 37