4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

4.6 Strahlenschäden in Si-Detektoren Abhängigkeit von der Strahlungsart – 1★★★★Die Wahrscheinlichkeit ein Primary Knock-On Atom zu erzeugen sowie dieEnergieverteilung der PKAs und somit die Folgeschäden hängen stark vonder Art der ionisierenden Strahlung ab.Die Streuung von geladenen Teilchen an einem Si-Atom erfolgt primär überdie em. Ww. mit dem durch die e – -Hülle teilweise abgeschirmten Kern undergibt relativ “weiche” Stöße. Dadurch ergeben sich hauptsächlich Punktdefekte.Die Streuung von neutralen Hadronen hingegen kann nur über die starkeWw. unmittelbar mit dem Kern erfolgen und ergibt daher sehr “harte” Stöße.Dies führt häufig zu hochenergetischen PKAs und in der Folge vermehrt zuCluster-Defekten.Zusätzlich hängen die Stoßkinematik und somit die auf das PKA übertrageneEnergie stark von der Masse des einfallenden Teilchens ab.M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 131