4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

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4.2.2Herstellung segmentierter Si-Detektoren — Lithographie – 2Der lithographische Prozess umfasst folgende Schritte:★ Flächiges Beschichten mit Resist (Lack liegt in (zäh-)flüssiger Lösung vor).★ Trocknen der Lackschicht (“pre-bake”).★ selektive Belichtung (z.B. mittels einer Schattenmaske).★ eventuell thermische Nachbehandlung des Lackes (“post-bake”).★ Entwickeln ➔ strukturierter Lack auf Oberfläche.★ Ätzen oder Beschichtung:– Ätzen: Lack unempfindlich gegenüber Ätze ➔ schützt abgedeckteBereiche; freiliegendes SiO 2 wird hingegen abgetragen– Beschichten (z.B. bei Metallisierung): flächige Beschichtung; in denabgedeckten Bereichen wird die Beschichtung aber anschließendgemeinsam mit dem Lack entfernt ➔ nur ursprünglich freiliegendeBereiche bleiben beschichtet★ Entfernen des Lacks mittels organischer Lösungsmittel (“Lackstrippen”).M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 69
4.2.2Herstellung segmentierter Si-Detektoren — Lithographie – 3Lithographie (Schema) mit Ätzprozess für Positiv- (links) und Negativlack (rechts).M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 70
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4. HalbleiterdetektorenDetektoren i
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4.1 Allgemeine GrundlagenVerwendete
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4.1.2 MaterialeigenschaftenKristall
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4.1.2 MaterialeigenschaftenFermi-Di
Seite 15 und 16:
4.1.2 MaterialeigenschaftenIntrinsi
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4.1.2 MaterialeigenschaftenDriftges
Seite 22 und 23: 4.1.2 MaterialeigenschaftenSpezifis
Seite 24 und 25: 4.1.2 MaterialeigenschaftenMaterial
Seite 26 und 27: 4.1.2 MaterialeigenschaftenBandlüc
Seite 28 und 29: 4.1.2 MaterialeigenschaftenExkurs:
Seite 31 und 32: 4.1.3 DotierungBändermodell: n-Dot
Seite 33 und 34: 4.1.3 DotierungBändermodell: p-Dot
Seite 35 und 36: 4.1.3 DotierungÜberblick - 2★ In
Seite 37 und 38: 4.1.3 DotierungFermi-Niveau im doti
Seite 39 und 40: 4.1.3 DotierungLadungsträgerkonzen
Seite 41 und 42: 4.1.3 DotierungSpezifischer Widerst
Seite 43 und 44: 4.1.4 Der pn-ÜbergangElektrische C
Seite 45 und 46: 4.1.4 Der pn-ÜbergangVerhalten in
Seite 47 und 48: 4.1.4 Der pn-ÜbergangBreite der Ve
Seite 49 und 50: 4.1.4 Der pn-ÜbergangDiodenkennlin
Seite 51 und 52: 4.1.5DetektorcharakteristikaBreite
Seite 53 und 54: 4.1.5DetektorcharakteristikaDunkels
Seite 55 und 56: 4.1.5DetektorcharakteristikaDunkels
Seite 57 und 58: 4.1.5DetektorcharakteristikaDetekto
Seite 59 und 60: 4.1.5DetektorcharakteristikaZeitlic
Seite 61 und 62: 4.2 Silizium-StreifendetektorenEinf
Seite 63 und 64: 4.2.1Prinzip eines Microstrip-Detek
Seite 65 und 66: 4.2.2Herstellung segmentierter Si-D
Seite 69: 4.2.2Herstellung segmentierter Si-D
Seite 77 und 78: 4.2.3AC gekoppelte DetektorenAllgem
Seite 79 und 80: 4.2.3AC gekoppelte DetektorenPolysi
Seite 81 und 82: 4.2.3AC gekoppelte Detektoren Punch
Seite 83 und 84: 4.2.3AC gekoppelte Detektoren FOXFE
Seite 85 und 86: 4.2.4Doppelseitige Streifendetektor
Seite 95 und 96: 4.3 Pixeldetektoren Allgemeines, Na
Seite 97 und 98: 4.3 Pixeldetektoren Bump Bonding -
Seite 99 und 100: 4.3 Pixeldetektoren Bump Bonding -
Seite 101 und 102: 4.4 Ortsauflösung von Si-Microstri
Seite 115 und 116: 4.5 Signal-Rausch-VerhältnisRausch
Seite 117 und 118: 4.5 Signal-Rausch-Verhältnis Detek
Seite 119 und 120: 4.5 Signal-Rausch-Verhältnis Detek
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4.5 Signal-Rausch-Verhältnis Detek
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4.6 Strahlenschäden in Si-Detektor
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