4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

4.6 Strahlenschäden in Si-DetektorenOberflächendefekte: Schädigung des Oxids – 2★ Im Detektor selbst führen die durch Strahlenschäden erzeugten zusätzlichenpositiven Ladungen im Oxid zu einer Verringerung der elektrischenSeparation zw. den Ausleseelektroden. Generell kommt es zu:– Anstieg der Kapazität und Abfall des Widerstandes zw. den Streifen➔ höheres Rauschen, verschlechterte Ortsauflösung– verminderte Durchbruchspannung, – erhöhter Oberflächenleckstrom.★ Da sämtliche Halbleiterelektronik auf extrem oberflächennahen Strukturenbasiert, sind bei der Ausleseelektronik Veränderungen des Oxids die Haupt-ursache für Strahlenschäden (insbesondere bei MOS-Strukturen). Volums-defekte im Halbleiter selbst spielen hier eine untergeordnete Rolle.M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 153