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4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

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<strong>4.</strong>5 Signal-Rausch-VerhältnisAllgemeinesDas Rauschen am Ende der Detektor-Auslesekette setzt sich aus Beiträgen vomDetektor selbst, der Bias-Schaltung und vom Design der Ausleseelektronik zusammen.★ Üblicherweise gibt man als Parameter für die Größe des Rauschens dieZahl der Elementarladungen an, welche diesem Rauschen entspricht. Manbezeichnet diesen Parameter als “equivalent noise charge” (ENC).Das eigentliche Detektorrauschen stammt von thermisch generierten Elektron-Loch-Paaren innerhalb des Detektors. Durch das über die externeSperrspannung erzeugte elektrische Feld können diese Ladungsträgernicht wieder miteinander rekombinieren sondern driften alsDetektordunkelstrom zu den Elektroden.M. Krammer: Detektoren, SS 09 <strong>Halbleiterdetektoren</strong> 113

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