4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

4.6 Strahlenschäden in Si-DetektorenAuswirkungen auf die Effektive Dotierkonzentration:Änderung der Full Depletion Voltage in n-Si – 2★ Für den spezifischen Widerstand bedeutet das, daß er durch Bestrahlungzunächst ansteigt, bis zur völligen Kompensation der Ladungsträger. Nachder Konversion des n-Typ Substrates in ein p-Typ Material sinkt derspezifische Widerstand wieder ab.★ Erhöht man die Betriebsspannung des Detektors in dem Maße, wie dieeffektive Dotierkonzentration zunimmt, d.h. achtet man darauf, daß derDetektor stets vollständig verarmt betrieben wird, so bleibt der Detektorauch unter Bestrahlung im Prinzip zur Gänze funktionstüchtig.★ Allerdings kann die Betriebsspannung nur maximal bis zur Durchbruch-spannnung des Detektors erhöht werden (einige 100 V bis 1000 V). —Bereits vor Erreichen dieses Limits können erhöhte Dunkelströme dasDetektor-verhalten erheblich beeinträchtigen.M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 143