4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

4.2.2Herstellung segmentierter Si-Detektoren — Wafer-Herstellung★ Das Basismaterial für Si-Detektoren ist hochreines, einkristallines Silizium,welches in Form von großen Zylinder (“Ingots”) erhältlich ist. ★Charakteristika von detektortauglichen Si-Ingots:– Durchmesser ≈ 4 bzw. 6 inches – Gitterorientierung * oder entlang der Längsrichtung.– spezifischer Widerstand ρ = 1–10 kΩcm (➔ Detektortaugliches Siliziummuß viel reiner sein als das in der Mikrochip-Industrie übliche.)★ Für optimale Reinheit werden detektortaugliche Si-Ingots nur im tiegelfreiemZonenziehverfahren (“Floating Zone Technique”, FZ-Verfahren) auspolykristallinem Silizium hergestellt.★ Aus den Ingots werden ca. 500 µm dicke Wafer geschnitten.★ Diese Wafer werden dann mittels CMP-Prozessen (“chemical mechanicalpolishing”) auf die gewünschte Dicke von ≈ 300 µm poliert.*In dieser Kristallrichtung ist das Si-Gitter am dichtesten und somit der Energieverlust eines ionisierenden Teilchens am größten.M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 63