4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

4.4 Ortsauflösung von Si-MicrostripsDiffusion – 1★ Bei Durchgang eines ionisierenden Teilchens befinden sich die primärerzeugten Ladungsträgerpaare ursprünglich fast alle im Umkreis von ca.1 µm rund um die Teilchenspur.★ Während diese “Wolke” an freien Ladungsträgern zu den Elektroden driftet,kommt es durch Diffusion zu einer Verbreiterung der ursprünglichenLadungträgerverteilung. Die rms-Breite dieser Verteilung nach einer Driftzeit tist gegeben durch:σ D = 2Dt mit:D = kT e µσ D … “root-mean-square”-Breite der Ladungsträgerverteilungt … Driftzeit €D … Diffusionskoeffizientk … Boltzmann-Konstante € T … Temperature … Elementarladung µ … Ladungsträger-MobilitätBeachte: Da D ∝ µ und t ∝ 1/µ ist, ist die Breite σ D für e – und Löcher gleich.M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 104