4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

4.3 Pixeldetektoren Bump Bonding – 35. Je nach Bonding-Prozess kann ein “Reflow” des Bonding-Metalles durchErwärmen günstig sein. Dabei ändert sich die Form der Bumps.6. Bei Prozessen mit Reflow werden die Bonding Bumps entweder auf demDetektor- oder auf dem Elektronik-Wafer abgeschieden, während auf demGegenstück nur das Underbump Metall aufgetragen wird. Bei Prozessen ohne Reflow werden auf beiden zu bondenden OberflächenBonding Bumps deponiert.7. Für das eigentliche Bonden wird der Elektronik-Wafer “auf den Kopf”gestellt, sodaß die Oberfläche des Elektronik-Wafers direkt gegenüber derOberfläche des Detektor-Wafers liegt (“Flip Chip Technology”). DurchDruck und Erhitzen werden dann die beiden Oberflächen über die BondingBumps miteinander verbunden.8. Um möglichst wenig Material im Detektorbereich zu haben, kann der(ursprünglich ca. 500 µm dicke) Elektronik-Wafer anschließend mittelsPolierverfahren “gedünnt” werden, da die aktive Region der Elektronik nurwenige µm unter die Waferoberfläche reicht.M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 97